复合材料层合曲梁分层问题的解析解法

根据叠加原理将含有分层的复合材料层合曲梁在横向载荷作用下的受力状态分解为在面受力状态与出面受力状态,再将出面受力状态分解为无分层曲梁受横向载荷状态与含分层曲梁承受附加剪切载荷状态。将分层问题归结为在附加剪切载荷状态中,层合梁附加位移与附加应力的分析,并据此建立了一个简单的力学模型。最后得到了由分层引起的附加位移与应力的解析解答,并用能量释放率方法确定了应力强度因子。     

Wavelength and Waveband Assignment for Ring Networks Based on Parallel Multi‐granularity Hierarchical OADMs

In this paper we study the optimization issues of ring networks employing novel parallel multi‐granularity hierarchical optical add‐drop multiplexers (OADMs). In particular, we attempt to minimize the number of control elements for the off‐line case. We present an integer linear programming formulation to obtain the lower bound in optimization, and propose an efficient heuristic algorithm called global bandwidth resource assignment that is suitable for the design of large‐scale OADM networks.     

交叉试验

发生了质量事故,是设备、操作等硬件的缘故,抑或药液的缘故?通过交叉试验的故事,把真相找了出来。     

选择性激光粉末烧结的成型过程研究

本文通过对选择性激光粉末烧结的成型过程的分析,讨论了粉床特性、材料热物性以及激光热载荷对成型件质量的影响,并采用有限元的方法对其三维温度场分布进行了模拟计算,     

用于磁场测量的高精度500A/30V零压开关直流稳流电源

研制了一种带有无源辅助网络的全桥移相脉宽调制零压开关(FB PSPWMZVS)高精度磁铁稳流电源,并在电磁铁磁场测量中得到应用,其电流稳定度在8h内优于±1×10-4。     

基于形态学top-hat算子的多传感器图像融合

本文根据形态学top-hat算子能够提取图像中极大值与极小值区域的特点,将其应用于多传感器图像融合的两个重要领域——多聚焦图像融合和高分辨、多光谱图像融合.实验中将本文方法与Laplacian塔型变换、子波变换、主分量分析等方法进行了比较,结果表明本文所提的基于top-hat算子的融合方法具有优越的性能,拓广了top-hat算子的应用范围.     

"国家队"经受武钢锤炼--盛安公司年关访谈

盛安集成做到家了近日,新中国成立后由国家投资建设的第一个特大型钢铁联合企业、中国第二大钢铁集团——武汉钢铁集团,其信息安全加固项目主体工程完工,并顺利通过武汉钢铁集团相关部门及第三方公司的验收。项目开发方盛安公司将这一工程称为“一项艰巨的任务、对自己能力和实力挑战的项目”。     

基于C6711处理器cdma2000 1X系统前向信道信号的处理

在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。     

多功能杀菌剂的合成及其性能研究

在现有季铵盐类杀菌灭藻剂上增加一个脂键，连接一个有机酸基团，合成一种兼具阻垢缓蚀功能的新型工业水处理用杀菌灭藻剂(多功能杀菌剂)，经一系列评价实验表明：新型杀菌剂是较理想的杀菌剂，在较低浓度下，对硫酸盐还原菌(SRB)及腐生菌(TGB)均有很好的杀灭效果，优于1227杀菌剂，同时还具有较好的缓蚀阻垢效果。     

Characteristics of low-leakage deep-trench diode for ESD protection design in 0.18-/spl mu/m SiGe BiCMOS process

This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs.