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941.
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比  相似文献   
942.
氮化铝薄膜的低温沉积   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成  相似文献   
943.
基于广义惠更斯 -菲涅尔原理 ,研究了波束入射到湍流大气时 ,考虑漫射目标上包含一个或多个镜反射点 (该镜反射点半径远小于束宽 )时的散射统计特性 ,导出了散射场的互相关函数、平均强度、强度协方差和强度方差的公式 ,讨论了镜反射点的半径和离轴远近对归一化强度方差的影响。  相似文献   
944.
采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响.研究结果表明:沉积温度对LMO薄膜的表面形貌有一定的影响;在沉积温度为650℃时,LMO薄膜具有良好的(00l)取向,薄膜表面平整均匀,光滑致密,其均方根粗糙度在2 nm以下;而且,在此LMO缓冲层上外延生长的YBa2Cu3O7-δ超导层具有良好的双轴织构,超导转变温度Tc为92 K,转变宽度小于1K,临界电流密度Jc为5.3×105A/cm2(77 K,自场).  相似文献   
945.
为了得到激光光束的某些参量,为设计和改进激光器提供依据,建立了一套激光光斑自动采集与分析系统,搭建了实验平台,并编写了一套基于虚拟仪器开发平台LabVIEW及其图像处理软件包NI Vision的用于采集和分析激光光斑的软件。该软件能实时显示光斑中心位置的漂移轨迹、在x方向和y方向漂移的标准差及其随时间变化的趋势等,同时,还能对基模高斯光束进行分析。经过去噪处理的光斑图样能以3维灰度图的形式显示出来,得到任意剖面的光强信息,并以此进行高斯曲线拟合,得出拟合参量以判断光强曲线接近高斯曲线的程度。结果表明,这种系统可以动态地采集光斑信息并进行处理,具有实时性。  相似文献   
946.
光学薄膜的损耗类型主要涉及吸收和散射,精确测定其数值是制备具有高品质和灵敏度指标激光薄膜的前提.本文以薄膜光学和激光技术为背景,介绍了谐振腔衰荡检测高反射薄膜的原理、特性以及测试方法.以1064 nm和1311 nm的高反射膜层为例,利用Losspro激光测试装置,对于二氧化锆( ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)材料获得百万分(ppm)量级精度的损耗数据后,针对不同薄膜材料和工艺方法进行了对比检测,分析认为速率控制和离子束能量对于相同材料的激光高反射薄膜具有明显的影响,进而为薄膜样品的制备奠定了技术基础.  相似文献   
947.
液晶材料光子晶体由于具有可调谐性而得到了广泛的研究,但目前的研究主要集中在可调的光子带隙特性上。详细研究了液晶光子晶体的可调自准直特性。使用平面波展开法分析了液晶旋转角对光子晶体自准直频率的影响,并使用时域有限差分法对光在液晶光子晶体中的传输进行了仿真。结果表明,通过控制液晶旋转角,可以对光子晶体自准直频率进行调节,从而满足不同频率自准直的需要。  相似文献   
948.
吴艳  安博文  叶洪涛  赵明  林川 《红外技术》2012,34(5):280-285
图像复原是提高图像空间分辨率的经典方,首先建立一般的成像模型,通过对图像复原原理进行分析,得出了利用图像复原提高图像空间分辨率的基本适用条件,通过扫描成像实验结果分析,验证了利用图像复原提高图像空间分辨率的基本适用条件的理论分析的正确性,图像复原提高图像空间分辨率基本适用条件的研究,对于遥感成像系统,可以保证获取的图像质量不下降的同时,大大节省系统研制成本.  相似文献   
949.
分析了相位编码的光模数转换系统对采样时钟的强度噪声及不均匀性的消除作用,并用实验证明了该结构的有效性。通过测量差分输出光电调制器的两个输出端口信号,针对采样时钟存在强度抖动及不均匀性等特征,基于归一化差分方法进行数据处理和校正。结果表明:相位编码方法可有效抑制时钟强度噪声及不均匀性的影响,提高系统的有效比特精度。  相似文献   
950.
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。  相似文献   
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