高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

索风营水电站坝基优化地质分析与工程处理

索风营水电站大坝为碾压混凝土重力坝,最大坝高115.8 m,因受F1和F13等区域性断层影响,坝基岩体弱风化较深,相应坝基挖深较大。为此,施工期通过地质分析与物探测试工作,对坝基进行了优化,使坝基总体少挖了6~8 m深,取得了较为成功的效果。本文在介绍了索风营水电站坝基优化中的地质认识之外,并对坝基存在的主要工程地质问题及工程处理进行了分析、总结。     

基于子波变换的涡街流量传感器信号分析

长期以来 ,如何提取潜在噪声下的涡街流量信号一直是个问题。流体流速脉动 ,局部阻力 ,随机振动———所有这些因素都给解决这一问题带来难度。文章应用子波变换消噪理论 ,从软件滤波的角度分析了强噪声干扰下的涡街流量信号 ,并提出了单支重构计数方法。分析结果表明 ,这种方法对低流速流量计量效果很好 ,能够有效地扩展量程下限     

基于竞争终端个数和跳数的802.11Mesh网络公平性优化机制

设计了一种基于竞争终端个数和跳数的公平性优化机制通过调整MeshAP的协议参数来改善不同跳数间竞争终端的公平性,同时,根据同一MeshAP下竞争终端的个数,按照预先设定的区间,动态调整其下各终端的协议参数,从而在改善系统传输性能的同时,进一步优化不同跳数间竞争终端的公平性.给出了这一机制的详细实现步骤,并利用ns2,对这一新的机制在各种场景下进行了大量的仿真实验.相关实验结果验证了这一优化机制不仅算法简单,系统开销小,适合于复杂多变的无线环境,而且能够根据竞争终端个数动态对无线系统中不同跳数下的竞争终端的公平性进行整体的优化.     

数字下变频器GC1012B原理及配置方法

数字下变频技术是软件无线电的一项核心技术,其性能的好坏直接影响数字接收机的精度。GC1012B是美国TI公司推出的新型数字下变频器。文中从GC1012B的结构特点和内部功能框图出发,分析其工作原理,并介绍GC1012B几个主要寄存器的配置方法,从而实现对频率、滤波模式、增益大小等参数的设置。最后给出了一个具体配置实例作为参考。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

激光冶炼太阳级硅材料的实验研究

通过实验研究表明，大功率ＣＯ２激光器在廉价硅材料制备中应用的可能性。     

甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物气相色谱分析

以Chromosorb 10 1为固定相 ,气相色谱法分析甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物中水、甲醇、乙酸甲酯和碳酸二甲酯等组份的含量 ,考察了柱温 ,载气流量对分离度的影响 ,确定了适宜的分析条件 ,并用校正面积归一化法定量。该方法操作简便 ,快速 ,精度高 ,重现性好     

下一代IP技术--GMPLS

通用多协议标签交换 ,不仅支持实行分组交换的设备 ,也支持在时域 ,波长域和空间域进行交换的设备 .GMPLS的发展需要对现有的MPLS的信令和路由作出修改 ,也产生了新的协议。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。