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991.
Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。 相似文献
992.
采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。 相似文献
993.
研究了外部光反馈对980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)振荡特性的影响.计算了垂直腔面发射激光器及边发射半导体激光器的光反馈灵敏因子.基于复合腔理论,分析了外部光反馈对垂直腔面发射激光器的阈值电流及微分量子效率等振荡特性参数的影响.实验结果表明,当反馈率为10%时,垂直腔面发射激光器的阈值电流由0.63A下降至0.59A,同时斜率效率和输出功率也有所下降.实验结果和理论分析符合得较好. 相似文献
994.
995.
996.
997.
如何提高无线传感器网络的安全性这一问题,己经成为了当今信息领域研究的新热点。对无线传感器网络中的典型攻击模型,以及当前针对这些攻击的防范和检测策略进行了综合分析,并在深入评估现有安全策略的优势与不足的基础上,指明了无线传感器网络安全策略研究的新方向。 相似文献
998.
999.
文章首先应用系统工程定性定量的方法,以语言性质为基础,通过语义关系量化软件的动态运行过程,在整体上以软件元素及其关系架构起软件的系统关系结构,其次对软件结构的脆弱性进行数学建模,以变异S-粗集的演算对软件运行过程的迁移特性进行分析,建立软件元素运行过程的迁移方程式组,通过推导得到软件结构的随机概率特征值,度量出软件结构的脆弱性,然后给出了软件脆弱度的主动控制方法,以及软件攻击面和可信性的计算方法,并提出制定完备编程规范的工程规则.最后测试了两个开源软件对该方法进行验证,并系统地分析了实验过程和相关数据. 相似文献
1000.