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31.
小红楼     
小红楼建于1921年,是一座三层的法式小洋楼。三十年代,它被英国百代唱片公司收购,抗日战争期间,一度被日本人占有,解放后,它成为中国唱片公司的所在地,伟大的中国国歌就诞生在这里。  相似文献   
32.
石油套管的壁厚公差对承载能力的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
石油套管的强度计算是按API标准进行的,它未能反映高强度套管和尺寸公差对抗压溃能力的影响。利用弹塑性力学理论建立理想的石油套管的抗压溃能力计算公式,并考虑套管的壁厚公差对计算公式进行修正。用该方法对受均匀载荷及非均匀载荷作用的套管进行分析,并同有限元计算结果相比,两者十分吻合,说明该方法的有效性。  相似文献   
33.
研究了三种贮氢合金 L a Ni5、L a Ni4 .7Al0 .3、Ml Ni4 .5Al0 .5被 10 0× 10 - 6 CO毒化后的分形特征 ,求出这三种合金在含 10 0× 10 - 6 CO的氢中循环 ,分维分别为 0 .2 5 4 7、0 .170 9、0 .0 72 5。可以较好的解释合金被毒化的宏观现象。  相似文献   
34.
电液比例控制技术在工程船舶中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
以长江及沿海航道铺排工程船(长雁1号)液压系统的工程项目为背景,采用电液比例控制技术设计了一种新型的电液比例控制系统,通过对移船马达速度的控制实现了移船的移位和准确定位,同时液压系统的能耗也大大降低.  相似文献   
35.
36.
Most laboratory simulations of hot rolling involve a scaling down of the strain rate from the much higher industrial levels. This leads to slower softening between each rolling pass, for which corrections must be made. In the present work, torsion testing simulations of “warm” rod rolling were conducted on a Ti-Nb interstitial-free (IF) steel at 840 °C and 770 °C(i.e., in the ferrite range). For this purpose, “strain rate corrected” interpass times were used, in addition to the more familiar corrections for the stress. The results are compared with those obtained from simulations using uncorrected industrial interpass times. At 840 °C, simulations using corrected interpass times led to high levels of softening between the stages of rolling, thus triggering the reinitiation of cycles of dynamic recrystallization. The initially high stress level at the start of these cycles was responsible for the large differences in the pass-to-pass mean flow stress behavior, compared with that observed when using uncorrected industrial interpass times, or continuous deformations. The differences were much less pronounced at 770 °C, where the rate of softening is much slower than at 840 °C. Predictions for softening based on the Avrami equation underestimated the softening observed using the continuous and uncorrected industrial interpass time schedules and overestimated it for the corrected ones. The former is due to the occurrence of recovery, which is not addressed by the Avrami relation, while the latter is due to the precipitation that takes place during the corrected (longer) interpass times. It was also found that simulations using continuous deformations are applicable only if the interpass softening that would be expected using the corrected interpass times does not exceed about 20 pct.  相似文献   
37.
固载杂多酸催化剂气相催化合成乙酸丁酯的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在气固相反应体系中研究了酸处理膨润士固载的具有 Keggin结构的四种杂多酸在乙酸丁酯合成中的催化性能。实验结果表明 :同一载体负载不同杂多酸催化活性相似 ;不同载体负载的同一种杂多酸的催化活性与催化剂的表面酸性呈顺变关系。同时考察了反应温度 ,空速 ,酸 /醇比对催化活性的影响。在酸 /醇比为 1 ,温度为 1 2 0℃ ,空速为 3~ 5h- 1时 ,正丁醇和乙酸有较高的转化率 ,选择性接近 1 0 0 %。  相似文献   
38.
鄂钢140 t/h干熄焦秉承国产化干熄焦技术优点,同时具有多项技术创新,并对工艺和设备进行技术改进和完善。生产稳定,效益明显。  相似文献   
39.
Real-time homogenous translucent material editing   总被引:4,自引:0,他引:4  
This paper presents a novel method for real-time homogenous translucent material editing under fixed illumination. We consider the complete analytic BSSRDF model proposed by Jensen et al. [ [JMLH01] ], including both multiple scattering and single scattering. Our method allows the user to adjust the analytic parameters of BSSRDF and provides high-quality, real-time rendering feedback. Inspired by recently developed Precomputed Radiance Transfer (PRT) techniques, we approximate both the multiple scattering diffuse reflectance function and the single scattering exponential attenuation function in the analytic model using basis functions, so that re-computing the outgoing radiance at each vertex as parameters change reduces to simple dot products. In addition, using a non-uniform piecewise polynomial basis, we are able to achieve smaller approximation error than using bases adopted in previous PRT-based works, such as spherical harmonics and wavelets. Using hardware acceleration, we demonstrate that our system generates images comparable to [ [JMLH01] ]at real-time frame-rates.  相似文献   
40.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(5):339-341
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。  相似文献   
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