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51.
通过分析TD-LTE(时分长期演进)与异系统的杂散和阻塞干扰,计算出TD-LTE系统与异系统共站址时的隔离度,采用加装滤波器或者调整天线位置等措施,改善引入TD-LTE系统后与各异系统之间的干扰.  相似文献   
52.
机械专业认识实习教学模式的探索与实践   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了适应机械专业人才培养方案改革的需要,近年来,学院增设了分散灵活形式的专业认识实习环节。介绍了该实习环节的目的、要求和内容,重点说明了实习的实施和管理方式,总结了在这几年的实施过程中所做的建设工作和取得的成效。  相似文献   
53.
采用注射成形工艺制备了Cu-Fe-C坯料,通过溶剂脱脂和热脱脂、烧结制备出Cu-Fe-C摩擦材料。研究了Cu-Fe-C摩擦材料的力学性能及摩擦磨损性能,重点分析了Fe含量对Cu-Fe-C摩擦材料性能的影响。实验结果表明:材料中铜颗粒之间存在的孔隙及石墨为主要的裂纹源和扩展途径,使材料发生脆性断裂;高硬度、耐磨的Fe颗粒分布于铜基体中,可以提高材料的硬度、强度;当Fe含量达到8%时,材料的硬度为58HV,抗拉强度为148MPa;当摩擦速度为100~400r/min时,Fe颗粒的加入提高了材料磨损量、摩擦系数,降低了材料的磨损性能;高速摩擦条件下,Fe的加入促进摩擦表面氧化膜的形成,提高了材料的耐磨性能。  相似文献   
54.
通过回转窑内热工制度、燃料特性分析及石灰石在回转窑内停留时间的试验研究,分析了燃料、原料因素对活性石灰回转窑关键设计参数影响;利用程序设计语言Visual C++开发了活性石灰回转窑参数化智能设计系统,为合理高效地完成活性石灰回转窑关键参数的设计和校核奠定基础。  相似文献   
55.
316L不锈钢注射成形溶剂脱脂工艺的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
以粒度为38μm的316L不锈钢注射成形生坯为研究对象,分析了脱脂温度、脱脂时间、生坯厚度及溶剂种类对溶剂脱脂脱脂率的影响.结果表明:采用正庚烷+乙醇+花生油溶剂时,脱脂坯缺陷较少;当脱脂温度为45℃,脱脂时间为12h时,脱脂率可达36%.  相似文献   
56.
热加工工艺对喷射沉积SiCp/Al-Fe-V-Si组织与性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了多层喷射沉积SiCp/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si复合材料的挤压后轧制和热压后轧制两种热加工工艺,对比研究了这两种工艺对于复合材料板材的显微组织和力学性能的影响.通过金相电镜、扫描电镜、透射电镜观察了复合材料通过不同工艺加工后的显微组织.结果表明,热压后再轧制比挤压后再轧制,复合材料具有更加均匀的显微组织,其力学性能更加优异,热压后轧制得到的板材室温抗拉强度达620 MPa,伸长率达9.5%.分析认为,热压致密能克服挤压过程中带来的SiC颗粒分层现象,SiC颗粒与基体结合良好保证了显微组织的均匀和细小,因而加工得到的板材具有优异的力学性能.  相似文献   
57.
深孔爆破在巷道掘进施工过程中应用较多,但深孔爆破之后围岩的破坏程度较为严重,巷道返修率较高,需要增加锚喷支护作业,严重影响了巷道施工进度,为此,杜儿坪矿在岩巷施工过程中提出采用中深孔光面爆破技术,经过合理的选取爆破参数,对爆破效果分析之后发现,巷道成型质量得到极大提升,实现了快速掘进。  相似文献   
58.
基于模糊积分和遗传算法的分类器组合算法   总被引:3,自引:0,他引:3  
将多个分类器进行组合能提高分类精度。基于模糊测度的Sugeno和Choquet积分具有理想的特性,因此该文利用其进行分类器组合。然而在实际中难以求得模糊测度。该文利用两种方法求取模糊测度,一是分类器对样本数据的分类能力,另一种是根据遗传算法。这两种方法均考虑了每个分类器对不同类的分类能力不同这一经验知识。实验中对UCI中的几个数据库进行了测试,同时将该组合方法应用于一多传感器融合工件识别系统。测试结果表明了该算法是一种计算简便、精度较高的分类器组合方法。  相似文献   
59.
薄膜间蒸式脱泡塔的工艺剖析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对薄膜闪蒸式脱泡过程建立了数学模型。推导出液膜厚度(δ2)、平均停留时间(^-t)等计算式,确定了脱泡塔的放大准则。该方法在引进装置的改扩建设计中得到了应用。  相似文献   
60.
乔斌 《材料导报》1991,(12):9-13
国际热处理联盟专用木语委员会已经将氮碳共渗正式定义为化学热处理(以前称为软氯化),它可用于金属零件,以形成表面氮碳富集的化合物层,并在该层下面形成富氮扩散区。铁素体氮碳共渗是在Fe-N-C三元系共析温度之下(即低于580℃)进行的,其扩散区处于铁素体状态,旨在使金属零件表面具有良好的耐磨性、抗疲劳与抗腐蚀性能。但是,普通碳钢经处理后,化合物层下面不具备明显硬化层。奥氏体氮碳共渗是在590~720℃进行的奥氏体状态处理,此时共  相似文献   
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