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本文对 NiO 单晶及不掺杂和掺 Li,Al 的 NiO 陶瓷的高温(800~1400℃)电导率和温差电势进行了测量。在一定温度下,NiO 单晶的电导率与 P_(O_2)(?)成比例,不掺杂和掺 Al 的 NiO 陶瓷的电导率与 P_(O_2)(?)成比例,高温主缺陷为V″_(N(?)O)掺0.1mol%Li_2O 的 NiO 陶瓷的电导率,在低氧分压下,不随温度和氧分压而变化,由此计算出空穴迁移率μ为0.43cm~2/Vs。掺 Al 的 NiO 陶瓷在 P_(O_2)=10~5Pa,T>1200℃下的电导表观活化能为102.6kJ/mol。Ni_(1-(?))O 的非化学计量偏离量δ=7.75×10~(-2)exp(-16200/RT)。试验结果表明,采用电子空穴的宽能带传导机理比小极化子跃迁传导机理能较好地阐明塞贝克(温差电势)系数的温度关系。 相似文献
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995.
面向对象的思想方法在决策支持系统中建立模型库的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了面向对象程序设计的基本概念,思想和方法; 相似文献
996.
最近,在LSI设计上已开始应用电子计算机的电路分析程序。用电路分析程序设计双极存储器的实例也有报告。但是,作为数值计算的通例,使用电路分析程序分析电路工作时,计算中使用的结电容、r′_(bb)等器件常数和电源电流、信号摆幅等设计参数,与所得到的计算结果之间的关系不明确之处较多。因此,在设计存储器LSI电路时,为了使各电路功耗分配最佳化和工艺、器件的改进各点更明确,电路分析程序是不适合的。与电路分析程序相比,尽管精度有所降低,但 相似文献
997.
本刊获悉,最近建材部外事局根据国家技术进出口委员会的指示,编报了今后四年拟向西德提出要求技术援助的一些建材项目。这些项月的特点是技术引进,主要侧重于邀请西德有关专家对这些项目的科研、设计、设备制造和生产技术等方 相似文献
999.
1000.