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71.
分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。 相似文献
72.
如何准确地检测出图像中的操纵痕迹是数字图像被动取证领域的研究重点.传统方法利用人工构造的特征进行检测,鲁棒性不强,而基于深度学习的方法虽具有较强的检测能力,但较少关注在正常图像上出现误检的情况.提出了一种改进的RGB-N图像操纵检测算法,该算法在使用F1分数评价操纵目标检测性能的同时,引入了在正常图像上的误检率指标来评... 相似文献
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74.
近年来,基于稀疏表示的DOA估计方法已经被广泛提出,这些方法都需预设离散的网格点,而实际信号来波方向在空间域内具有随机性,任何来波方向都是等概率出现,很有可能信号的来波方向不在网格上,因而会存在网格误差,使DOA估计结果产生较大偏差。为提高DOA估计精度,本文提出了非网格的DOA估计模型。同时,为提高测向自由度,本文应用由两个均匀线阵组成的互质阵列,并且将两个均匀线阵平行放置在同一平面。通过将两均匀线阵的互协方差矩阵向量化成互协方差矢量,可得到一维虚拟扩展的接收数据矢量,并且在稀疏表示框架下应用相应的稀疏恢复算法恢复出跟DOA参数相关的向量,从该向量中得到唯一的并且自动配对的二维DOA估计参数。仿真实验结果验证了本文算法较传统算法具有更好的DOA估计性能。 相似文献
75.
针对针孔线性模型的缺点,引入非线性因素(如相机的畸变等),建立基于Tsai算法的非线性模型。这种模型需要先用线性模型求出一个较准确的参数,然后根据这些参数利用非线性模型进一步提高精度。模型检验中由于图像畸变一般在边缘较大,为了更好体现模型检验的可信性,选取图像边缘上的点做检验,并进行重投影误差计算。结果表明非线性模型的精度相对于线性模型精度有很大程度的提高。 相似文献
76.
一种新的单枚被动定向浮标目标定位方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为解决单枚被动定向(DIFAR)浮标目标定位的问题,提出一种新的DIFAR浮标目标定位方法。该方法针对下一代新型高性能浮标处理平台,在使用目标方位数据同时,充分利用目标的多普勒信息,实现了单枚DIFAR浮标对目标的发现、定位、追踪。在计算目标参数时,新算法利用多次测量数据,以最小二乘原理,进一步提高了目标参数的计算精度。仿真结果表明了新算法的正确性。整个算法简单、稳定,易于工程实现,克服了传统算法至少需要2枚DIFAR浮标参与才能完成目标定位的缺点。 相似文献
77.
诸如微处理器、控制器、DSP和ASIC产品等超大规模半导体集成电路是启动便携式电子产品快速成长的最主要技术;然而,在今天的几乎每一款便携式产品内部也会看到很多的分立逻辑器件,这些器件在连结便携式系统方面扮演了一个关键性的角色:将内核部分与外界联系起来的接口部分以及给产品增加的诸如升级、时钟分配和调节、电源管理支持等任选功能方面。这个角色与高集成度器件一样重要。 相似文献
78.
MEI系数的快速计算及其在电大尺寸电磁散射问题中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文针对电大尺寸导体柱电磁散射问题,利用跳点平均的方法来加速MEI系数的求取,并结合快速MEI算法,使总的求解时间在快速MEI的基础上缩短近十倍。数值计算结果证明了该方法的正确性和有效性,并进一步讨论了合适的跳点距离。 相似文献
79.
对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射(DBR)半导体激光器双模运行特性进行了研究.该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成,两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅,中间加入50~100 μm的分隔区,以减小两DBR区间的热作用影响.实验发现,在增益区偏置电流强度满足双模(双波长)运行条件的情况下,在分隔区施加一电流Ispace,会对双模调谐特性产生非常大的影响.结果表明:施加适当的Ispace可使双波长的可调谐间隔显著增加,并同时提高2个激射模的边模抑制比;在一定的范围内,较大的Ispace对应较好的双模运行参数.测量了3种几何尺寸样品在多种偏置电流下的双模运行特性,对分隔区长度、Ispace以及两者组合对双模调谐特性的影响作了深入研究.研究结果对改善双波长DBR半导体激光器双模运行特性给出了有用的信息. 相似文献
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