高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.     

预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究．研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累,损害了器件的可靠性．可见,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性．     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

多普勒计程仪辅助捷联惯导初始对准技术研究

针对捷联惯导系统初始对准精度问题,提出了一种采用多普勒计程仪辅助捷联惯导系统进行初始对准的方法。分析了多普勒计程仪测速误差的形式,建立了多普勒计程仪与捷联惯导系统的误差模型,通过输出校正的方法修正多普勒计程仪的速度信息,为惯导系统提供准确的载体速度信息,采用卡尔曼滤波进行捷联惯导系统的精对准。并对舰船匀速直航状态时,多普勒计程仪辅助捷联惯导系统的初始对准进行了仿真分析。理论分析与仿真结果表明:该方案能有效地解决舰船的初始对准问题,收敛速度较快,而且具有较高的精度。     

钛基复合材料的离子抛光工艺适用性研究

金属基复合材料的制样难点在于基体和增强相物理性能差异大,采用机械-化学抛光、电解抛光等传统方法制样效率较低.离子抛光的制样优势在于可通过程序控制,实现对复合材料的整体加工,减小界面浮凸,从而提高制样效率.作者在前期研究中得到了最佳离子抛光工艺参数,将此系列参数应用于不同增强相含量钛基复合材料的扫描电镜制样中,对比观察微...     

聚对苯二甲酰对苯二胺锂离子电池隔膜材料研究进展

锂离子电池已经得到广泛应用,但是其隔膜安全性一直没有得到彻底解决。液晶高分子聚对苯二甲酰对苯二胺(PPTA)具有优异的耐热、耐腐蚀、制品尺寸稳定性好等特点,其纤维材料对位芳纶具有优异的力学性能,因此PPTA作为锂离子电池隔膜材料具有很好的应用前景。但是将PPTA制备成多孔膜是一个巨大的技术挑战。本文从技术进展的角度,详细综述了锂离子电池隔膜制备技术的进展情况,对PPTA电池隔膜的各个技术路线进行比较分析。最后对本研究团队在PPTA锂离子电池隔膜领域所做工作进行简要介绍。结果表明,利用PPTA纳米纤维制备技术可以制备出厚度、孔隙率及电池性能优异的锂离子电池隔膜,PPTA隔膜具有很好的应用前景。     

基于FIB-SEM制备尖晶石微米颗粒的球差校正透射电镜样品

针对尖晶石微米颗粒材料,利用聚焦离子束扫描电镜双束系统(FIB-SEM),在传统透射电镜样品制备方法的基础上进行技术性改进,成功制备了高质量的球差校正透射电镜样品.并利用球差校正透射电镜成功观察到了尖晶石颗粒的截面原子结构,为更深入地研究尖晶石材料的结构和性能奠定了基础.     

热盐水致大鼠萎缩性胃炎胃粘膜扫描电镜观察

目的：研究热盐水灌胃导致大鼠萎缩性胃炎(CAG)胃粘膜组织细胞超微结构的变化，探讨长期热成饮食与慢性萎缩性胃炎间的关系。方法：用热盐水灌胃(55℃，150g／mL，2．5ml／d)建立大鼠萎缩性胃炎动物模型，选取大鼠腺胃胃窦组织进行病理组织学检查，以扫描电镜观察胃粘膜上皮细胞超微结构的变化、结果：光镜下热盐水灌胃后第12周，大鼠胃粘膜出现腺体明显缩小，粘膜肌层的平滑肌呈柬状增生插入粘膜固有层中一腺体上1／3至2／3腺上皮萎缩，腺管腔增宽，胃小凹颈部粘膜宽度变窄。扫描电镜见正常组大鼠胃粘膜被纵横交错的小沟分隔成许多胃小区，呈网状，胃小凹(胃腺开口)壁衬有圆形或椭圆形上皮细胞，体积基本一致，有短而稀的微绒毛。上皮细胞排列规则，被覆一薄层连续的粘液。热盐水组大鼠在12周时见胃粘膜细胞表面粗糙，粘膜表面糜烂、扁平；在32周时见胃粘膜细胞萎缩、腺腔直径增大、细胞表面破溃，并见纤维性渗出。结论：热盐水灌胃可引起胃粘膜上皮细胞损害，长期过成及过热刺激可能会诱发萎缩性胃炎。     

栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响

介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因,是因为H的引入产生了更多的界面态,从而使其单管的跨导明显下降所致.这表明,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长,对提高电路的抗辐射特性至关重要.