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31.
报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖 相似文献
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引言在过去的十年里,工作于毫米波频率的固态半导体器件的发展,取代了1~50W 范围内的电子管。这些器件可靠性高、价格低、工作电压低,而且体积小、重量轻。本文的中心是关于在30~100GHz 的频率范围内产生功率的方法。在这个频率范围内,如果功率高于50W 的活,那么,就必须选择功率电子管。图1是连续波功率随频率变化的曲线图,它分成三个部分。直到最近,在毫米波频率上获得功率的方法才被限定在基频上的产生和 相似文献
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功能性非织造过滤材料 总被引:3,自引:0,他引:3
详细地介绍了功能性非织造过滤材料的定义,发展、分类、原料,工艺和运用,对非织造过滤材料的研究与开发有一定的参考意义。 相似文献
34.
35.
咨询监理行业入世与过渡期内任务浅识 总被引:2,自引:0,他引:2
叙述咨询监理服务的两重性,咨询监理服务国际接轨内容的主要方面,咨询监理的服务模式,以及如何整合行业资源,降低入世成本等。 相似文献
36.
37.
设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。 相似文献
38.
39.
介绍了试样经稀硝酸溶解后,以硫脲--抗坏血酸(5%—5%)预还原As^5 至As^3 ,加热原子化炉体温度至700℃-800℃消除S6、Sn氢化物的干扰,在10%HCl介质中,砷被硼氢化钾还原为氢化物,用原子荧光光谱法测定.线性范围为0—100ng/ml;回收率为96.7—100%;变异系数为2.36%-6.3%,适于锌及锌合金中0.001%-0.05%范围砷的测定. 相似文献
40.