长沙新建西路地铁车站施工风险勘测及控制技术

以长沙地铁1号线新建西路车站施工为工程实例,对车站周边情况进行勘测,分析明挖法施工可能产生的风险,如深基坑开挖风险、周边建筑物安全性、施工过程的偏压风险以及周边管线施工风险,并提出对围护结构进行动态监测、注浆加固地层、对承受偏压荷载较大的位置进行重点保护、将管线临时改移、永久改迁、就地保护等解决措施.为类似的明挖法施工...     

北京农业节水问题的研究和探索

北京的农业灌溉用水是全市水资源消耗的重要组成部分,农业灌溉用水的高效利用,对于水资源的可持续利用和发展起着非常重要的作用。本文分析了当前农业节水灌溉发展过程中存在的主要问题,并就这些问题及今后的发展提出了看法。     

一种应用于EPON的新型保护环和分区保护子环结构

以太无源光网络(EPON)是下一代宽带接入网的一种可行方案,为了增强网络的生存性,ITU-T G.983.1定义了几种无源光网络(PON)保护结构.在此基础上,文章提出了一种应用于EPON的新型保护环结构和分区保护子环结构,研究了其保护机制,分析了倒换时间,估计保护时间小于14ms.     

粒度和温度对纳米Ca(OH)2溶解行为的影响

以微米级到纳米级的Ca(OH)₂粉末作为原料,采用pH玻璃电极的测试方法分析粉末粒度和溶解温度对Ca(OH)₂溶解过程的影响。研究表明：溶解过程在表面反应控制条件下,拟合得到的表观溶解速率常数随着粒度的减小而增大,当溶解温度由25℃增加到55℃、平均粒度由3.81μm降低到56.47 nm时,Ca(OH)₂的表观溶解速率常数从6.17×10^-4mol/(L·s)增加到了2.01×10^-3mol/(L·s),Ca(OH)₂的表观溶解反应级数为1.78;当温度分别为25℃、35℃、45℃、55℃时,粒度与表观溶解速率常数呈函数关系。利用Arrhenius方程回归获得平均粒度为3.81μm、0.82μm、78.90 nm、56.47 nm的Ca(OH)₂粉末在25～55℃条件下的表观溶解活化能分别为31.99 kJ/mol、31.73 kJ/mol、27.55 kJ/mol、17.80 kJ/mol。纳米Ca(OH)₂...     

高超声速飞行器鼻锥的热环境和结构热分析研究

基于典型的高超声速气动加热飞行环境,利用热流迭代修正方法对轴对称一体化结构高超声速飞行器鼻锥进行结构温度场分析.首先通过流场计算得到飞行器鼻锥的冷壁边界热流密度分布,并将其作为结构热响应有限元计算的初始边界条件.为了验证计算方法的可执行性,并为计算结果分析比较提供参考数据,首先进行只考虑导热和辐射的计算,不考虑壁面温度变化对热流影响的热流修正迭代计算.而后,针对壁面温度随时间变化,对热流密度进行修正,进行多次迭代计算模拟,用以确定高超声速飞行器鼻锥材料以及结构设计尺寸.     

传统手工艺在包装设计中的应用研究

传统手工艺在包装设计中的应用正在逐渐普及,二者的结合是一个充满创新和创意的过程.传统手工艺应用到包装设计中,既能增加产品包装的艺术内涵和审美价值,也有利于传统手工艺的保护和传承,因此,传统手工艺与包装设计的融合也为越来越多的设计师所青睐.现浅析传统手工艺的发展情况和应用价值,结合现代包装设计中的需求,提出传统手工艺设计...     

中国金属注射成形产业和技术现状——机遇与挑战

综述了中国金属注射成形(MIM)市场、科研、发展和相关公司情况.分析了其产品主要应用市场,如消费类电子产品、五金器具和汽车配件市场.报道了金属共注射成形、微注射成形、充模模拟和注射材料研究情况.对三种典型的中国金属注射成形公司和他们的产品、技术特点给予了讨论.     

基于Python的Android应用GUI的开发

随着Android平台在移动终端的市场占有率越来越高,安卓应用的开发周期越来越短,繁冗且效率底下的Java在新的形势下已渐渐表现出它的疲态,为了解决Android应用开发语言单一的问题,Google发起了SL4A(The Script-ing Layer for Android)项目。本文简单的介绍了SL4A的工作原理,并以Eclipse和Android SDK为开发工具,在SL4A的支持下使用Python语言实现Android应用GUI的开发。     

基于GeoEye-1高分辨率卫星影像的1:1万地形图精度分析

以GeoEye-l卫星影像为源数据,利用DPGrid作为内业平差、精度评定软件,以新疆某一测区为例,探讨了利用GeoEye-l卫星影像制作1:1万地形图的方法,并对像控点起算点个数、分布情况对其精度的影响进行了分析.     

自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较

本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。