注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性

本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律。结果显示：在MOSFET的栅场介质中适量注入F，能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长，减少漏电流及阂电压漂移，有助于改善CMOS运算放大器电路内部各单管的辐照敏感性，从而使运放电路的整体抗辐射能力得到显著提高。     

基于视觉的轴跳动检测仪

采用结构光三角法测量的构想,设计出一种基于视觉的径向跳动和轴向窜动自动化检测仪,分析了系统的工作原理及结构,并指出提高检测精度的途径,给出了摄像机与激光的标定方法,实现了跳动和窜动量的快速、准确、非接触和自动化检测.     

计算机基仪器网上校准技术

文中论述计算机基仪器的网上校准新技术。采用传递标准，通过局域网实现校准实验室的远程校准。在传递标准中的微处理器提供校准所需输入信号，数字多用表作为参考标准进行量值的传递。     

新型电阻--频率变换器设计

文中给出了一个由惠斯登电桥、积分器、过零检测器等组成的电阻－频率转换器。分析表明,采用简单的补偿技术就可使此转换器在宽电阻变化范围内具有良好的线性。因此,此电路特别适用于电阻式传感元件的信号处理。     

两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论．     

应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

为给金属氧化物半导体场效应功率管（Power MOSFET）在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60^Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，分析了Power MOSFET器件在60^Co γ，射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道Power MOSFET相比，P沟道Power MOSFET可能更适合空间应用。     

基于可能性理论的测试信息融合及不确定性处理方法与分析

针对测试信息融合及不确定性处理问题,提出了采用条件可能性分布获取测量过程后验信息的方法。设计了用随机模糊变量的可能性分布取代概率分布的技术途径,给出了实现测试信息融合及不确定性处理的基本思路,并通过实例说明了该方法的实用性和有效性。结果表明,基于可能性理论,结合可靠的测量先验信息,可以得到精确的测量结果后验估计。     

测量一致性的统计学表征与分析

基于统计学理论对测量结果的测量一致性给出了新的描述,并对其参数特性以及应用实例进行了分析.     

一种实用的电子仪器校准不确定度的计算方法

本文给出了一种实用的电子仪器校准时不确定度的计算方法。此方法是基于对规定值的比较测量，采用的是与被测设备精度相当的闲置参考标准。通过被测设备统计测量结果与参考标准扩展不确定度指标，以及相应的不确定度计算公式，实现了总不确定度的计算。