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论述了选择耐压补偿方式的原则,并针对万家寨水电站气体绝缘变电站(简称GIS),论述了其谐耐压试验的原理、特点,试验装置的选择,并对试验结果进行了分析。 相似文献
32.
本文针对数字化城市管理系统的需求进行了分析,并提出了系统设计的总体思路和原则,从架构设计、数据库设计、接口设计等在整体上对系统的框架进行了把握,为后续详细设计与实现提供了基础。 相似文献
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ZnO:Ag薄膜的结构对其紫外发光增强的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用脉冲激光沉积方法(PLD),在Si(100)衬底上生长了银掺杂的氧化锌薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波长分别是1064 nm和355 nm.通过x射线衍射分析发现,两种不同激光沉积样品的晶体结构有很大的区别.此外,由1064 nm激光制备的ZnO:Ag薄膜,在氧气中800℃的条件下退火一个小时后,在其光致发光(PL)谱中发现,样品的紫外发光峰强度随薄膜中Ag含量增加而急剧增强,但在同样条件下处理的由355 nm激光制备的薄膜,没有观察到类似现象.经过分析和比较,我们认为这种紫外发光增强的特殊现象,是ZnO:Ag薄膜中的纳米Ag颗粒所引起的局部等离子共振而导致. 相似文献
35.
本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究.改变溅射条件,研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系,通过溅射条件的优化,可使氮化碳膜中的氮含量增加,薄膜的结构接近β-C3N4相. 相似文献
36.
用MOCVD方法生长GaInP及其掺杂材料,并对Si的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温(>700℃)生长GaInP及其掺杂材料的组分,从而使得GaInP掺Si的电子浓度达8×1018cm-3。在此基础上,进行了GaInP发光二极管材料的生长,所得器件具有良好的I-V曲线。 相似文献
37.
对同步发电机的各种灭磁技术进行了研究,重点对各种技术方案灭磁时移能(换流)方式进行了分析,对换流能否成功进行了探讨。 相似文献
38.
中国尾矿坝地震安全度(16)─—大石河尾矿坝地震液化的二维简化判别 总被引:3,自引:0,他引:3
在60种尾矿坝剖面计算的基础上,得出了坝面加速度放大系数、坝内土中剪应力折减系数的简化计算法,结合H.B.Seed等的现场上动力强度确定方法,对大石河尾矿坝地震液化进行了简化判别。 相似文献
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