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对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷. 相似文献
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余洲生 《武汉食品工业学院学报》1995,(4):60-62
试验测定对开展气力输送研究、提高气力输送技术水平有重大意义,作者着重介绍一些可用于粮食气力输送的测定方法。 相似文献
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基于计算机视觉的自动浇注系统 总被引:4,自引:0,他引:4
提出一种基于计算机视觉的自动浇注系统。长期以来,由于没有有效的方法测量浇口杯内的铁水液位,浇注一般都是用人工控制。自动浇注系统是采用摄像机拍摄浇注过程,经过图像采集和处理,计算出浇口杯内铁水液位高度,通过实时控制铁水的浇注流量,使浇口杯内液位按工艺维持在一定高度,从而实现了自动浇注。实验证明此系统控制性能良好。 相似文献
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采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150~350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。 相似文献
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文章阐述了核桃生长发育对环境条件的要求,栽植核桃的生态效益和经济效益,提出了核桃丰产栽植技术,希望对农民发展核桃种植业具有指导意义。 相似文献
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一种新的分布式控制系统的仿真调试方法余洲,潘俊民ANewEmulationDebugStrategyfortheDistributedControlSystem¥YuZhou;PanJunminl引言分布式控制系统充分利用了当前流行的毛c技术(Com... 相似文献
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采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In2S3薄膜.研究了溅射功率对In2S3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响.结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In2S3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性.溅射功率对薄膜的成分、厚度和结晶度具有明显的影响,并因此影响薄膜的光学和电学性能.薄膜在100 W沉积时最接近化学计量比,薄膜的透过率随着溅射功率增大在500 nm波段附近显著提高,禁带宽度达到2.45 eV,同时电流密度增大两个数量级. 相似文献
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