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81.
The band configurations of the undoped strained-layer InxGa1-xAs(8 or 15nm)-GaAs(15nm) MQW with x = 0.1,0.15 and 0.2, respectively, have been investigated by photocurrent spectroscopy at the temperature range of 10- 300K. Both intersubband transitions and transitions between confined level and continuum are observed. The photocurrent peak related to the 2s or other excited states of heavy-hole exciton is also observed and the exci-tonic binding energy thus obtained is about 8meV. The valence band offset △Ev is determined to be 0.38 and 0.40 by means of two different methods. Owing to the strain effect, both electrons and heavy holes are confined in the InGaAs layers while light holes in the GaAs layers. 相似文献
82.
河北省原煤生产在全国占有一定位置,近几年不断扩大矿井的生产能力,原煤产量逐年提高。但一些矿井的掘进速度与回采不相适应,采掘比例关系仍处于失调状态,迅速扭转这种局面是我省煤炭工业发展中的一个重要问题。怎样把掘进速度搞上去?根据我省目前的具体情况,要着重抓好煤巷掘进机的使用并逐步扩大使用范围,迅速提高煤巷的单进水平。我们的目标是要在几年之内,凡有条件使用掘进机的回采巷道,力争大部分使用上掘进机。我省现有掘进机24台,其中国产的2 相似文献
83.
应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。 相似文献
84.
本文运用射频辉光放电的低温等离子体在基底上沉积出均匀,透明的聚六甲基二硅氧烷(HMDSO)聚合膜,用红外光谱揭示材料的化学结构,通过击穿和伏安研究了等离子体聚合膜的强场特性,发现其导电机理为场助热离子跃迁,此外还分析了退火工艺对薄膜结构和击穿性能的影响。 相似文献
85.
多孔配水管孔口出流量变化实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
运用水力学原理,对多孔配水管孔口出流量公式的孔口作用水头、孔口流量系数及沿程孔口出流量的变化问题进行了理论分析和试验验证.研究表明,孔口作用水头应为总水头,其值沿程逐渐减小;多孔配水管孔口流量系数是一个变量,其值沿程逐渐增大,因而使多孔配水管孔口沿程出流量逐渐增大. 相似文献
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在建筑能耗模拟与太阳能建筑系统设计中,逐时的太阳直射和散射气象数据是最重要的基本参数。由于中国辐射观测数据的缺失,逐时直射和散射数据很难获得。很多学者对此进行了研究,提出了数十种直散分离模型。采用北京地区2009年—2011年3年太阳总辐射和散射实测数据,选取Erbs模型、Orglill模型、清华大学随机气象模型、宇田川光弘模型、张晴原模型5个代表性的直散分离模型进行计算验证,分析比较了实测数据和计算数据之间的相关系数R、均方根误差RMSE和相对误差RE,得出晴空指数Kt可以作为最主要的影响因子,Erbs模型预测散射的准确率最高,其次为张晴原模型和Orglill and Hollands模型。 相似文献
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