有效治理气藏开发过程中水侵影响的问题及认识

气藏开发过程中,由于地质特征的多样化和渗流规律的复杂性,治理水侵对气井产能及气藏采收率的影响问题面临的困难重重,主要表现在认识水侵规律、确定治水对策、保障治水工艺措施效果等方面。受实际气藏所处开发阶段、研究工作量、措施针对性与及时性等因素的影响,并非每一个气藏都能充分暴露水侵危害的问题,以及展示有效治理水侵影响的规律,孤立分析单个气藏较难获得具有普遍适用性的完整认识。近40年来,中国石油西南油气田公司在四川盆地持续开展气藏开发治水实践探索和跟踪研究,发展形成了融合先进理念、成功经验、专项理论和成熟工艺为一体的整体治水配套技术,众多产水气藏开发效果显著改善,但同时也表现出治水效果的较大差异。以此为背景,从气藏开发治理水侵的超前需求、水侵活跃性影响因素、水侵动态分析方法、优化治水策略、典型气藏治水经验等方面,分析了气藏开发治水的核心问题,评价了治水效果的影响因素,探讨了实用化的治水策略。结论指出,实际工作中不宜简单套用以往治水技术模式,而应因地制宜强化针对性。该成果可为产水气藏优化开发提供技术参考。     

一种适用于超高频标签芯片的低功耗电压基准电路

提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路.电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术.芯片采用TSMC 0.18 μm CMOS混合工艺流片.测试结果表明:该芯片可以在1.2～2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW.电路面积为0.01 mm2,T...     

高压凝析气藏试井技术研究--以塔里木盆地牙哈凝析气田为例

由于凝析油气藏相态变化机理特殊,凝析油气井试井分析目前属世界性的试井分析难题,也是试井理论界的研究前沿和攻关方向,若按常规方法开展凝析油气藏试井工作,对获取的测试资料将无法作出正确解释,这种情况已在塔里木盆地牙哈凝析气田高压气井试井中时有发生,使试井成功率受到严重影响,因此迫切需要有针对性的理论研究成果做指导,切实提高凝析油气藏试井工作质量。根据牙哈凝析气田多年来的生产实践,从试井理论、测试工艺、现场试井实践3方面开展了综合研究,提出了凝析气井“6＋1”试井分析方法和改进的“一点法”产能评价技术,并对多层合采气井的动态特征做了理论分析,初步形成了一套适合塔里木盆地高压凝析气藏试井的测试工艺技术和分析解释技术。     

低渗气藏气井产能影响因素分析

低涌气藏的勘探开发越来越受到重视。但在现有技术能力和水平条件下,低渗透气藏的勘探开发程序很低,开发效果也不理想。四川是我国天然气的主要生产基地;在四川盆地已经发现的气藏中有相当部分就属于典型的低渗透气藏,开发难度极大。本针对四川低渗储层和低渗气井的具体情况,从理论和初中上综合分析低孔低渗气藏（气井）产能大控制因素,深入认识低渗储层的特殊渗流规律,掌握低渗气藏产能的影响和控制因素,为下一步选择和制     

排水管材在低碳建筑中的应用

在总结建筑排水用管材分类的基础上,从低碳建筑对环境友好型材料的选择要求入手,探讨了各种排水管材在低碳建筑中的应用。     

塔山矿三盘区8309综采工作面采煤机的选型研究

对塔山矿三盘区8309综采工作面采煤机进行了选型及校核,并对所选用采煤机的参数进行了计算。选择合适的采煤机机型,对提高综采工作面的产量和效率,具有非常重要的意义。     

轻质Si-Al电子封装材料制备工艺的研究

探讨采用传统粉末冶金方法制备轻质、高性能Si-50％Al(质量分数，下同)电子封装材料的可能性。研究了粉末粒度组成、压制压力、烧结温度对材料室温导热性和室温到200℃间热膨胀系数的影响。发现采用一定的粉末粒度组成，高压制压力、高温和适当的时间烧结能够获得综合性能较好的Si-Al复合材料。     

裂缝—孔隙型气藏气井产量变化特征分析

四川盆地裂缝—孔隙型气藏数量较多,不同气井产量随时间变化特征差异大,过去对其中起主导作用的影响因素定量化了解不够。通过建立和求解裂缝—孔隙型两区复合地层定井底流压生产数学模型,计算分析了产量随时间变化的特征及敏感因素,为正确认识裂缝—孔隙型储层气井产量变化规律提供了理论依据。     

基于计算流体力学技术研究多层合采气井井筒携液能力

为了解决井筒内多相非稳态流动计算以及直观展示井筒多相流流动过程中流型分布变化这一难题,引入计算流体力学(Computational Fluid Dynamics)仿真模拟技术,建立地层-井筒耦合流动模型进行井筒内流体流型的可视化模拟研究。此方法为研究井筒内复杂流动提供了有效的解决途径,并为评价复杂气井携液能力提供了技术支撑。研究成果已应用于多层合采产水气井携液能力研究,揭示了这类气井的特殊动态特征和不同情况下的带水效果,为判断有水多层组气藏单井多层合采的适宜性提供了技术参考。     

新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究

微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求.在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点.高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域.重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望.