相国寺石炭系气藏改建地下储气库运行参数设计

相国寺气田位于重庆市渝北、北碚区境内。该气田石炭系气藏地理位置优越,储层分布稳定,储层渗流性好,气质纯,气井产能高,井间连通性好,开发中表现出视均质气藏特征,盖层和断层封闭性好,水体能量有限,地层水不活跃,非常有利于改建地下储气库。为此,在比较了枯竭气藏改建地下储气库与气藏开发的异同之后,根据相国寺地下储气库的定位及调峰需求（主要用于解决川渝地区天然气市场的季节调峰问题,可为中卫-贵阳管线提供季节调峰,同时具备天然气战略储备应急能力）,利用该气藏丰富的静态资料和长期开发的动态资料,优化设计了储气库的上限压力、下限压力、库容量、工作气量、垫底气量、注采井数等关键运行参数。模拟结果表明：相国寺气田石炭系气藏改建地下储气库后,运行压力介于11.7～28.0 MPa,库容量可达40.5×10⁸ m³,垫底气量为17.7×10⁸ m³,工作气量为22.8×10⁸ m³,储气库具备较强的调峰能力。最后还对该储气库的注采方案进行了设计分析。     

裂缝型产水气藏水侵机理研究

在裂缝-孔隙型有水气藏开采过程中,边水或底水容易沿裂缝通道向生产井窜流,形成气水两相流,增加渗流阻力,封闭并分隔部分气区,降低井产量和气藏采收率,对采气危害很大。针对裂缝型产水气藏的储集层特征,建立了水驱气渗流的物理实验模型,通过实验,从微观机理上揭示了裂缝型气藏发生水侵时天然气主要以绕流封闭气、卡断封闭气和水锁封闭气的形式存在。气藏水侵在宏观上主要表现为低渗透岩块水侵、气藏水侵和关井复压“反向水侵”,其结果是水对气区进行封闭、封隔和水淹,堵塞部分气区的渗流通道,使可动气变成“死气”。结合气藏水侵机理研究了K6井裂缝系统的水侵规律,为该气藏开发调整提供了有效的依据。     

桩前不存在开挖的抗滑桩动力计算方法研究

采用动力杆有限单元法,将桩进行离散处理,运用地基系数法计算桩侧土对桩的抗力作用,将结构动力学中的多质点有阻尼体系动力反应的振型叠加法(为了使桩的振动计算变得简洁和可行,对多质点桩进行简化的振型叠加计算引入了Rayleigh阻尼的概念)应用于动力杆有限单元法中。将杆多质点体系简化为前三阶振型的叠加,最后获得抗滑桩桩前不存在开挖的弯矩和位移的时程解。运用该方法计算了算例中地震条件下抗滑桩桩前不存在开挖的桩顶位移、弯矩,并进行了动力离心机模型试验,验证了该计算方法的结果。     

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本文提出了脉冲试井曲线的直接拟合分析方法,探讨了匹配参数的影响情况和调整方法,在保证结果准确的前提下,简化了脉冲试井分析过程,便于现场应用。     

一种基于相关反馈的图像检索算法

本文介绍了一种基于相关反馈的图像检索算法,并实现系统与传统的图像检索系统进行性能比较。经实验证明,该方法有效提高检索效率。     

900mm平整机简易过程控制系统设计

鉴于平整轧制的规程比冷连轧的规程要简单得多,不需要太复杂的生产过程控制级,故利用VB6.0设计并开发了简易过程控制级。采用OPC软件接口标准与上位机PLC进行通信,通过ADO数据访问接口与SQL数据库进行数据交互,以钢厂多年的生产数据和经验制定的工艺查询表为根据,进行查询和简单的计算,即可确定延伸率、开卷张力、卷曲张力、轧制力、弯辊力等轧制参数的设定值。应用本系统可以减少计算时间,缩短开发周期。在现场试应用2个月,带钢的延伸率偏差为0.1%,优等品率从90%提高到96%。     

心跳位在地铁BAS系统通讯接口中的作用

针对环境与设备监控系统(BAS)系统中的RJ45通讯接口与RS485通讯接口在地铁运营过程中出现通讯故障,且无法在综合监控系统(ISCS)产生相应报警的问题做了现场调研与分析,并提出通过增加心跳位的方法来解决该问题,从而保证ISCS系统对BAS子系统及其下位设备实时性监控。     

浅谈人道诗意的栖居

诗意的栖居是越来越追求高质量生存空间的现代人梦寐以求的境界.结合海德格尔的文章,探讨栖居的本质、状态及对人道栖居的理解.     

特殊开采方式低速非达西渗流试井模型研究

理论研究和室内实验及生产实际证实,在低渗透油气藏中,流体在多孔介质中的渗流存在启动压力梯度问题。启动压力梯度的存在,导致相同生产压差下,产量减少。为了提高低渗油气藏的产能,一般必须采取大型酸化或压裂,增加近井区渗透率,克服近井区启动压力梯度影响问题。经过酸化或压裂这些特殊开采措施后,近井区容易形成裂缝。基于这种生产实际问题,建立了近井区为双孔介质达西渗流,远井区为存在启动压力梯度的低速非达西渗流模型的特殊复合油气藏渗流模型。同时,考虑了井筒变井储问题以及外边界有界的情况。通过求解模型,分析了压力动态特征,制作了特殊开采方式下的试井分析样板曲线,为特低渗透油气藏的地层参数反求提供了又一新的模型和方法。     

热压法制备Si-Al电子封装材料及其性能

采用真空热压烧结方法 ,制备了性能优异的Si Al电子封装材料。其热导率高于 110W·m- 1 ·K- 1 ,热膨胀系数从 5～ 10 μm·K- 1 可调控 ,密度低于 2 .5g·cm- 3。真空热压方法通过外界压力来克服非润湿状态下的毛细阻力 ,达到硅颗粒均匀分布 ,铝相呈连续网络状包裹的理想复合形貌组织。在铝熔点以上温度点进行的液相烧结均满足封装性能要求 ,且热压时间短、压力低。实验结果表明 :热膨胀系数主要由硅含量确定 ,一定的临界压力值则是影响材料组织及性能的关键参数