基于FPGA和无线通信的炮口冲击波测试系统设计与实现

由于炮口冲击波超压测试现场环境比较恶劣,为了提高存储测试系统的可靠性和灵活性,给出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和无线通信的炮口冲击波测试系统的设计与实施方案。测试系统的激波管动态校准结果表明,系统符合国军标对炮口冲击波超压测试的基本要求。该系统在多次靶场实爆试验中进行了测试试验,都成功捕获到炮口冲击波超压曲线。试验结果表明所设计的炮口冲击波测试系统具有体积小,微功耗,灵活性高,测试效率高等优点,在炮口冲击波测试中具有良好的应用前景。     

汶川地震后北川县城防洪计算

"5·12"汶川地震形成了大量颗粒松散物质,导致河道大幅淤积、抬升等剧烈地貌变化,从而在相当长时间内改变原有的河道行洪特征,诱发次生洪水灾害.论文对唐家山至北川县城一线的通口河河道进行洪水数值模拟,定量分析该河段由于河床地貌突变所导致的汛期洪水威胁增强效应及其对北川县城地震遗址防洪能力的影响.计算表明:由于唐家山堰塞湖泄洪和魏家沟泥石流的影响,该河段沿程大幅淤积抬升,现状行洪能力大大低于震前20年一遇洪水的水平,远低于国家地震遗址保护要求的防洪标准;计算的水位和冲深对河道糙率较为敏感,但是由于河床地貌和床沙组成剧烈变化,糙率变化需要进一步研究.     

基于FPGA的水质检测系统研究

针对目前突水水源的判别方法不能实现突水预警,且处理时间较长、过程复杂等问题,设计了一种采用激光诱导荧光技术、以FPGA为核心处理器的水质检测系统。该系统采用在线检测荧光光谱法实时监测地下水的化学成分变化,从而快速检测矿井突水水源的变化前兆,达到突水预警的目的。试验结果表明,该系统检测精确度高,响应速度快。     

浮动蒸汽腔散热器性能测试与仿真回归分析

随着各类电子器件与设备的小型化和多样化,产品功耗与热流密度也在发展迭代中迅速攀升,对高效散热的需求越来越强烈。文中主要针对均热问题,介绍了蒸汽腔均热技术的基本原理,通过实测对比了一种浮动蒸汽腔散热器与传统热管散热器的均热性能,也对抗重力性能进行了测试分析和仿真回归。结果表明,浮动蒸汽腔散热器的均热性能优于传统热管散热器,而重力的方向对其均热能力有影响,应用中不推荐两片蒸汽腔处于上下相对位置的竖直状态。仿真回归得到的蒸汽腔等效导热系数可供后续产品设计参考。     

叶顶间隙对离心叶轮气动性能影响研究

使用非结构化网格上的有限体积法，数值研究一半开式离心压缩机叶轮的内部流场、气动性能随叶顶间隙的变化规律。对原始叶轮相对间隙α=1．8％，数值计算所得到的气动性能参数与实验值符合非常好；对大范围叶顶相对间隙α=0．9％。7．0％内6种不同叶顶间隙下该叶轮的气动性能进行数值预测，随着叶顶间隙增大，离心叶轮气动效率、压比及转矩均降低，但变化曲线与线性函数相距甚远，呈现出典型的双平台变化关系。对所研究模型，综合考虑气动及强度振动因素，叶顶相对间隙最佳值取为2．6％，计算结果对离心压缩机设计具有一定的工程指导意义。     

电子设备芯片沸腾换热应用试验研究

针对电子设备单芯片热耗超过500 W、热流密度超过50 W/cm²、单个机柜超过50 kW 的散热需求,采用沸腾换热结合微槽道的方法为大热耗、高热流芯片散热提供了新的解决方案。通过试验验证了微槽道与常规通道蒸发器的流动和换热差异。结果表明,微槽道相比常规流道,其散热温差降低了44%,细长结构的微槽道蒸发器能获得更优越的换热性能,流动沸腾换热系数可达2 ~ 3 W/(cm²·K)。     

过负荷老化对乙丙绝缘电缆结构和组成影响的研究

通对过负荷老化的YC电缆绝缘材料分子结构和微观形貌进行研究表明:老化过程中伴随着氧化反应的发生,红外光谱在羰基区、羟基区有新的特征峰显现;微观形貌上,随着过负荷老化时间的延长,孔洞和裂缝数目上升,网丝片状、块状增加,绝缘材料由韧性断裂向脆性断裂转变。在调查过负荷电气火灾时,可以通过提取现场中故障电缆未过火部分进行仪器分析,为火灾物证鉴定人员提供一种相对可靠的辅助证明手段。     

严重颈部龋致牙周膜息肉伴牙髓坏死一例

根据1例颈部大面积龋坏致牙周膜息肉伴牙髓坏死病例,探讨其治疗方法。     

一种油水混匀装置的研制

在稠油降黏实验中,为了更好地探究原油破乳剂的脱水率、最佳用量等性能,研制了一种自动控制油水混匀装置。该装置主要由齿轮传动机构和直流电机控制系统构成,在MCU的集中调控下,实现试管在设定参数下的往复摆动。实验表明,该设备能够很好地进行设定程序的混匀实验。     

溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究

以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升.