铜渣协同脱氟氯试验研究

针对新型的污酸处理工艺"深度硫化+吹脱+结晶法"存在投资大、能耗高、单位处理成本高的问题,提出一种铜渣协同脱氟氯工艺.经正交试验表明,在液固比8∶1、温度30℃、转速300 r/min、反应时间45 min,脱氯效果为96.44％;在脱氯污酸中,按氧化钙4g/L、温度40℃、转速100 r/min、反应时间15 min...     

鄂尔多斯盆地长73亚段页岩油可动烃资源量评价方法

鄂尔多斯盆地长73亚段发育一套富有机质泥页岩夹薄层粉—细砂岩的细粒沉积,具有整体生烃、普遍含油的特征.明确不同类型细粒沉积的含烃量、赋存状态、烃类组分等,对于该类型页岩油资源潜力分析和甜点优选具有重要意义.基于CY1井长73亚段岩心系统测试分析,运用多粒级多极性分步抽提方法,对黑色页岩、暗色泥岩、粉砂岩、细砂岩等4种细...     

研制对合型磁悬浮玉璧的方案

采用上、下玉璧并用滑动轴穿联成陀螺体,利用圆锥永磁件异极相对的悬浮力,还用四节拍变流电路控制上玉璧的主永磁片进行旋转,可在玉石的远红外线与旋转磁场的双线组合中产生较好的疗愈及保健效果。     

无回馈逆变技术的实现

提出了一种无回馈逆变技术的方案，并对其双重的主电路拓扑结构进行了详细的讨论。     

对我国高等职业技术院校发展趋势的探讨

阐述了高等职业技术教育应培养应用型、技术型、技能型“三型人才”，其毕业生不仅应是职业型人,这应成为素质型人才，并从培养目标，教学计划与课程结构，培训过程等方面探讨高职院校今后的发展趋势。     

转化气蒸汽发生器内孔焊技术

主要介绍我国重质原油加工技术中转化气蒸汽发生器的研制,通过整体制造工艺研发,并采用标准TIG20-160机头配合管子内孔对接焊接的特殊焊炬及定位机构,实现入口侧管板与换热管的内孔对接焊,保证了对接接头质量,攻克了相关制造难点,为该类转化气蒸汽发生器的国产化制造积累经验。     

大塘畲地区铀矿矿化特征及找矿潜力分析

大塘畲地区的铀矿化主要赋存在上白垩统叶塘组上段e层晶屑凝灰岩以及喷出岩集块熔岩、球粒流纹岩中,受岩石裂隙及层间破碎带控制;区内铀矿体形态较简单,呈似层状.文章论述了大塘畲地区铀矿的地质背景、地质特征以及控矿因素,对找矿前景进行了分析.     

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）,研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。     

Ni/α-Al2O3纳米复合电镀工艺的研究第三部分——采用双脉冲电源电镀时电源参数的优化

采用双脉冲电源,研究了电源参数对Ni/α-Al2O3纳米复合镀层耐蚀性的影响,得到最佳的脉冲参数为:正向脉冲频率1000Hz,正向脉冲占空比0.4,正向工作时间5ms,正向平均电流密度1.1A/dm2,反向脉冲频率1000Hz,反向脉冲占空比0.4,反向工作时间1ms,反向平均电流密度0.44A/dm2。