基于计算机数据库的安全防范策略研究分析

现阶段,我国处于知识经济不断发展的年代,信息技术已经发展成为社会不可缺少的工具。在信息系统中,计算机数据库技术是一个核心技术,并且计算机数据库技术成为现代信息与科学非常重要的组成部分。然而数据库会受到人为因素或者系统因素的影响,因此会出现数据错误、感染病毒等现象。本文主要阐述了数据库的故障,针对这些故障提出了防范措施。     

浅析数字电视常见故障及处理

数字电视故障现象和处理办法均有别于模拟电视,本文结合数字电视的特点,对数字电视常见的故障进行分析,并对故障逐一举例分析,提出处理办法。     

漂珠-微硅复合低密度水泥浆体系在苏丹1-2-4区块应用中的抗压强度与密度和温度之间的相关性研究

固井水泥浆抗压强度是固井质量的重要参数,而地层温度和水泥浆密度是影响抗压强度的重要参数指标。本文结合近年来苏丹1-2-4区块漂珠+微硅复合低密度高强度水泥浆体系的广泛应用与国内学者对该水泥浆体系进行的室内理论研究,利用多元回归分析方法对实验所得该水泥浆体系的抗压强度等重要参数数据进行线性回归分析,得到线性回归模型。结果表明:漂珠+微硅复合低密度高强度水泥浆体系抗压强度与实验温度(模拟地层温度)、水泥浆密度之间确实存在着线性相关关系,应用回归模型可以利用温度和密度数据来计算抗压强度,从而对固井现场施工工作起到指导作用。     

新研究：北斗擎天 汇三网同步——北斗卫星授时为三愿融合保驾护航

最近国务院正式公布第一批进行三网融合试点城市名单,推进三网融合。三网融合是指电信网、广播电视网、计算机互联网在向宽带通信网、数字电视网、下一代互联网演进过程中,因其技术功能趋于一致,业务范围趋同,三网之间渗透、互相兼容、并逐步整合成为互联互通、统一的信息传输网络。     

北斗卫星授时提升中国电网安全

1.电网运行安全，事关国计民生 能否想象，华灯初上，灯火阑珊之际，突然整个社区、整个城市、整个省（美国的州）以致10多个省区接二连三地灯火全灭、成片陷入黑暗世界，     

中国陆相页岩油测井评价技术方法新进展

与北美地区的海相页岩油相比,中国陆相页岩油普遍具有岩石矿物成分复杂、储层非均质性强、单层厚度薄和岩性岩相纵向变化快等典型特点,测井岩性识别、储层参数精确计算及品质精细划分难度极大,这给测井准确评价页岩油“甜点”带来了巨大挑战。针对目前松辽、鄂尔多斯、准噶尔和渤海湾等盆地页岩油勘探区域测井评价遇到的诸多难点,重点讨论了以四维数字岩心、实验室多状态二维核磁共振及井场移动式全直径岩心核磁共振为代表的页岩油岩石物理实验新方法和以元素测井矿物组分高精度计算、电成像沉积构造识别、水平井解释及压裂效果评价为代表的处理评价新技术,并以系列关键核心技术突破构建了中国陆相页岩油测井评价方法体系,展现了近年来页岩油测井评价技术在中国的创新与发展。     

船用主动力燃机加强筋裂纹的修复

根据引进的美国船用燃气轮机某处产生贯穿性裂纹的位置结构特点,充分考虑了其在焊接修复过程中的工艺性,采用了适当的修复方案及保护措施,从而取得的满意的焊缝质量。     

低孔低渗储集层岩石物理分类方法的讨论

为了在储集层孔隙结构和岩石物理特征基本相同的情况下建立测井解释岩电参数模型，需要按岩石物理特征对储集层进行分类。通过实际资料和理论分析，对比地层流动带指数与储集层品质指数两种宏观物性参数的差异，研究储集层岩石物理分类的有效方法和反映微观孔隙结构变化的特征参数。利用两种指数对松辽盆地大情字井地区和鄂尔多斯盆地姬塬地区典型低孔低渗储集层60块岩心的压汞实验资料进行了分类，结果表明，按照储集层品质指数对储集层进行分类能更准确地反映储集层的孔隙结构和岩石物理特征。理论分析亦证明，储集层品质指数与孔隙结构之间呈单调函数关系，而地层流动带指数与储集层孔隙结构之间并不是简单的单调函数关系，储集层品质指数比地层流动带指数能更准确地反映储集层孔隙结构和岩石物理性质的变化。图6表1参14     

浅谈施工企业如何创精品工程

针对目前工程建设项目质量存在的管理不严，甚至发生重大质量事故的现象，从企业创造精品工程的角度出发，分析了创造精品工程的必要性，并结合当前质量管理和招标工作的需要，提出企业创造精品工程的有效途径。     

ZnO纳米棒与Si(111)和Si(100)衬底的外延关系(英文)

运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒。SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100nm,长度均匀,大约3μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长。通过实验结果与理论分析得出:对于Si(111)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿6个对称方向生长,而且与基片之间的夹角为54.7°,ZnO与Si(111)的外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[141]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[411]Si,或[0001]ZnO‖[4]Si。对于Si(100)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿4个对称方向生长,与基片之间的夹角为70.5°,其外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[14]Si,或[0001]ZnO‖[14]Si。通过比较分析得出Si基片可以控制ZnO纳米棒的生长方向。