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11.
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了系列本征微晶硅薄膜材料和nip单结微晶硅太阳电池,研究了硅烷浓度、衬底温度和辉光功率等沉积参数与薄膜材料性能、薄膜电池性能三者之间的关系.拉曼光谱和器件测试结果表明:随硅烷浓度的增加,本征层晶化率逐渐减小,直至转变为非晶硅;沉积温度高于200℃时,电池性能严重恶化;随等离子辉光功率增加,材料晶化率保持不变,而电池开路电压逐渐增大,短波光谱响应逐渐增强.在此基础上,优化了单结微晶硅电池沉积参数,得到效率为6.48% (AM0,25℃)的单结微晶硅薄膜太阳电池;并将其应用到非晶硅/微晶硅叠层电池中,在不锈钢柔性衬底上得到效率为9.28%( AM0,25℃)的叠层电池.  相似文献   
12.
叶晓军 《通信世界》2004,(47):36-36
教育信息化是加快教育发展的重要途径。为了加快教育信息化的进程,教育部于2001年11月14日发出了关于在中小学实施“校校通”工程的通知,通知指出“校校通”工程的目标是:用5-10年时间,使全国90%左右的独立建制的中小学校能够上网,使中小学师生都能共享网上教育资源,提高所有中小学的教育教学质量,使全体教师能普遍接受旨在提高实施素质教育水平和能力的继续教育。具体目标是:2005年前,争取东部地区县以上和中西部地区中等以上城市的中小学都能上网;西部地区及中部边远贫困地区的县和县以下的中学及乡镇中心小学与中国教育卫星宽带网联通。  相似文献   
13.
封装材料的选择和封装工艺的确定对柔性薄膜太阳电池在空间的应用非常重要。封装材料采用改性的硅氧烷系列胶水和高透过率含氟薄膜材料,封装工艺采用涂覆方式和覆膜方式相结合,并利用封装设备有效控制涂层厚度及其均匀性。对封装后的柔性薄膜太阳电池进行一系列环境模拟实验,发现实验后太阳电池性能衰减较小,具有良好的环境耐受性。  相似文献   
14.
随着电梯应用的普及与发展,近年来,高层建筑物电梯电气雷电灾害逐年增加.而我国现行的相关标准尚未对电梯电气防雷进行全面、细致的规定,仅仅要求电气设备、井道导轨进行接地处理.鉴于此,本文将结合笔者相关工作经验,详细论述高层建筑物电梯电气系统防雷技术,旨在对一线工作有所裨益.  相似文献   
15.
脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
叶晓军  种明  陈良惠 《半导体学报》2004,25(12):1680-1684
利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性.计算了有源区在连续工作条件下的最大温升,分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响.模拟结果表明,采用不同衬底和不同装配形式对器件温度特性的影响很大,正装形式下,窄的脊形条宽能提高器件的高温工作稳定性.  相似文献   
16.
催化裂化(FCC)装置用能水平对炼油工业生产能耗及经济效益至关重要.从炼油能耗构成分布看,1982年全国催化裂化装置能耗占炼油工业总能耗的22.17%,2000年其能耗上升到35%左右[1].要降低装置的能耗,应在装置设计中全方位的考虑能耗问题.  相似文献   
17.
用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4μm和600μm,前后端面镀膜条件为10%/90%.室温下阈值电流的典型值为46mA,输出功率为40mW时仍可保持基横模.10mW,40mW时的斜率效率分别为1.4W/A和1.1W/A.  相似文献   
18.
研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。  相似文献   
19.
大面积柔性硅基薄膜电池集成串联组件   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用卷对卷工艺制备了叠层非晶硅/非晶硅锗(a-Si/a-SiGe)电池,采用激光刻划与丝网印刷实现集成串联,形成柔性薄膜电池集成串联组件。研究了SiGe电池渐变带隙、柔性衬底nip倒结构激光刻划、反向脉冲电治疗,并用以改善柔性薄膜电池集成内联组件性能。集成组件有5个子电池内部串联而成,有效面积转换效率达5.424%(AM0,100.1cm2),开路电压达7.156V。  相似文献   
20.
利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性.计算了有源区在连续工作条件下的最大温升,分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响.模拟结果表明,采用不同衬底和不同装配形式对器件温度特性的影响很大,正装形式下,窄的脊形条宽能提高器件的高温工作稳定性.  相似文献   
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