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为了改善器件的响应均匀性,通过优化台面制作与SiNx钝化工艺制备了高均匀性256元线列正照射InGaAs探测器,实现了该探测器与读出电路的互连,测试了器件的I-V特性、光谱响应、信号和噪声,并利用激光感生电流技术研究了探测器的串音和光敏感区的扩大问题.测试结果表明:在-0.5V偏压下,探测器的暗电流典型值约为0.9nA,平均峰值探测率为7.8×1011cm·Hz1/2·W-1,响应的不均匀性为4.8%.LBIC测试结果表明:光敏元区没有扩大,光敏元之间串音较小,并成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰. 相似文献
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江阴大桥特长钻孔桩试验与承载特征 总被引:2,自引:0,他引:2
本文主要论述江阴长江公路大桥钻孔桩侧阻力试验分析,讨论了特长钻孔桩的承载特征及桩土间相对位移与摩阻力极限值的数量关系。 相似文献
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共形,一体化宽频带无人机载干扰天线 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种20~100MHz地无人机机载天线。通过对无人机机体金属框架的综合分析,确定了共形、一体化天线体制。文中对天线输入阻抗进行了详细的理论分析,运用高效的宽带匹配网络技术,克服了无人机上复杂的电磁环境对天线性能的影响,最终实现了一种新颖的宽频带、高效率无人机机载干扰天线。 相似文献
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Low-frequency and high-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors(MOSC),including electron and hole trapping at the dopant donor and acceptor impurities,are presented to illustrate giant trapping capacitances,from>0.01Cox to>10Cox.Five device and materials parameters are varied for fundamental trapping parameter characterization,and electrical and optical signal processing applications.Parameters include spatially constant concentration of the dopant-donor-impurity electron trap,NDD,the ground state electron trapping energy level depth measured from the conduction band edge, EC—ED,the degeneracy of the trapped electron at the ground state,gD,the device temperature,T,and the gate oxide thickness,xOX. 相似文献
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