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采用三镜折叠V型谐振腔、声光调Q技术和三硼酸锂(LBO)晶体,对二极管端面抽运Nd∶YVO4的914 nm基频光进行腔内倍频,实现了457 nm激光输出,利用I类相位匹配偏硼酸钡(BBO)晶体对457 nm蓝光进行腔外倍频,获得了228.5 nm深紫外激光。当抽运功率为17 W时,获得了平均功率为10 mW的228.5 nm深紫外激光输出,脉冲宽度为64.26 ns,重复频率为10 kHz。2 h内的激光输出稳定度为±2%。 相似文献
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63.
一种Deep Web数据源质量评估模型 总被引:2,自引:1,他引:2
分析了影响Deep Web数据源质量评估的若干因素,提出了一种Deep Web数据源质量评估模型.该模型从浏览器、Web数据库、Web服务器和用户四个方面对数据源进行质量评估.通过在真实的Deep Web数据源上进行实验验证,说明该方法是有效和可行的. 相似文献
64.
在分析了STL(StereoLithography)数据特点的基础上,针对STL数据冗余,不适合直接网上传输的特点.设计了网络传输文件T文件,减少了网络数据传输量。研究了STL数据到T文件的转换方法,并且采用Java3D技术开发了T数据的远程图形显示系统,实现了STL文件的远程快速浏览。从而为把快速原型制造与协同设计相结合提供了工具支持。 相似文献
65.
EFI及其安全性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了解决传统PCBIOS的局限性及其面临的问题,Intel公司提出了可扩展固件接口(EFI)的规范标准。作为下一代BIOS,EFI为启动操作系统前的程序提供了一个标准环境。文中详细介绍了EFI,指出EFI存在的一些安全问题,并分析相关的安全机制,指出了实现EFI安全必须考虑的因素。 相似文献
66.
介绍了常见固定宽带无线接入系统的基本情况,对LMDS接入技术、3.5GHz无线接入、MMDS接入技术、无线局域网技术、固定卫星接入技术以及不可见光纤无线系统的特点进行了分析说明。 相似文献
67.
68.
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直流磁控溅射制备a-Si:H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用 总被引:3,自引:2,他引:3
利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现a-Si∶H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小。将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si∶H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性。 相似文献
70.