大气折射率波动引起的SAR成像误差分析

合成孔径雷达(SAR)成像中通常默认大气折射率为1,即电磁(EM)波速率等于自由空间光速且忽略大气吸收特性,但实际存在的吸收会减弱入射功率,电磁波速率的变化会引起相位误差,从而影响图像重建.该文定量分析电磁波速率波动和大气吸收对雷达图像的影响,理论推导得出大气吸收会导致振幅误差,表现为散射点在图像中的重建幅度误差;电磁波速率波动会导致相位误差,表现为散射点在图像中的重建位置误差.仿真实验验证了误差分析的正确性.该分析进一步完备了SAR成像误差分析,有助于SAR图像正确解译.     

电子类EDA教学中引入MPW计划的研究与实践

EDA技术的快速发展，给我国高校电子技术教学带来严峻挑战。如何使高校培养的EDA人才符合市场需求，是现代EDA教学改革的目标。论文首先分析了现代EDA教学现状，介绍了MPW的基本概念及国内外MPW计划的实施情况，然后提出在本科电子类EDA教学中结合科研项目，引入MPW计划的必要性和可行性，并以多年来我校工程实践和毕业设计实践说明MPW计划在现代电子设计教学和人才培养中的作用。     

适于视频应用的高数据传输率集成CMOS收发机

这篇文章给出了一个5GHz CMOS射频收发机的设计方案。此设计采用0.18微米射频CMOS加工工艺,集合了最新IEEE802.11n的特性例如多输入多输出技术的专利协议以及其他无线技术,可提供应用在家庭环境中的实时高清电视数据的无线高速传输。设计频率涵盖了从4.9GHz到5.9GHz的ISM频带,每个射频信道的频宽为20MHz。收发机采用了直接上变频发射器和低中频接收器的结构。在没有片上校准的情况下,设计采用双正交直接上变频混频器,得到了超过35dB的镜像抑制。测试结果得到6dB接收机噪声系数以及在-3dBm输出功率时得到发射机EVM结果优于33dB。     

基于MOS Model 20的RF-S0I LDMOS大信号建模

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz～20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器.     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

周期性缺陷接地结构的微带线

基于单元缺陷接地结构(DGS)等效电路模型,研究了周期性缺陷接地结构微带线的色散关系,并给出其阻带的快速估算方法.为提高微波电路的集成度和灵活性,提出了基于周期性DGS结构弯折型微带线,分析其带阻特性、色散特性和阻抗特性.实验证明,该结构在4～7GHz之间具有良好的宽阻带特性.     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路. 探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程. 讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素，并给出了结构实现的工艺控制要求.     

RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析

提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.     

基于可调谐光纤环形镜滤波器的多波长布里渊掺铒光纤激光器

通过使用非线性放大的光纤环形 镜滤波器(AFLMF),构造了一种新颖的多波长布里渊掺铒光纤激光器(E DFL)线形结构。非线性AFLMF由掺铒光纤放大器(EDFA,由980n m泵浦抽运 一段EDF构成)、偏振控制器(PC)和耦合器构成,减少了腔内基于波长的损耗,并且能够灵 活地控制反射 光以及激光腔内输入和输出光的强度。在布里渊泵浦功率为25mW、 980nm泵浦功率为200mW时,获得了波 长间隔为0.08nm的14个波长的激光输出以及50nm的可调谐范围。通过调节980nm抽运光功率、PC以及布里渊泵浦光波长,实现了可调谐的多波长输出。研究 了980nm抽运光功率以及PC对斯托克斯光波数的影响。