低真空封装的新型变电容面积MEMS惯性传感器阶跃响应特性分析

一种新型变电容面积MEMS惯性传感器与传统的梳齿电容传感器相比,具有对梳齿电容不平行敏感度低,可加测试电压高等优点.通过对该传感器在低真空封装条件下的惯性阶跃响应特性分析,着重研究了不同梳齿电容倾斜角度对该传感器的阶跃惯性信号响应的影响,以及不同倾斜角度梳齿的位移响应和测试电压、空气真空度的关系,并把该结果和梳齿结构的情况进行比较.结果表明,工艺因素对变电容面积MEMS惯性传感器在低真空封装下的阶跃惯性响应影响很小;另外,该结构上可加的测试电压可以是梳齿电容结构上可加测试电压的近10倍,这有利于减小接口电路的噪声.以上分析论证了该新型传感器有利于降低器件的工艺要求和提高传感器的分辨率.     

集成电路及系统设计实践教学的研究和改革

阐述了在集成电路设计实践教学中如何结合最新的EDA(电子设计自动化)工具,提高学生的实际设计应用水平。就集成电路设计教学参考流程的建立、实践教学内容和方法的确定、软硬件实践教学环境的建设进行了讨论。     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程

介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz～25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.     

一种宽带低压的上变频混频器设计

设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频器采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,射频输入频率范围为50～860MHz.通过Cadence SpectreRF对混频器进行仿真,在1V的工作电压下,取得变频增益约为5.34dB,噪声系数约为21dB,1 dB压缩点约为-3.2dBm、三阶输入交调点约为12dBm,功耗为5mW.在整个射频宽带内,混频器性能参数稍有变化,波动范围较小.仿真结果证明,该宽带混频器结构适合低压工作,可应用于数字电视调谐器中.     

复杂隔振系统功率流求解策略的研究

针对复杂隔振系统—单层隔振和多层隔振的混合式系统的求解策略进行了详细的理论分析 ,提出了深度优先的结构化建模方法 以功率流传递的路线为依据 ,给出了系统按深度优先原则进行分析的求解算法 ,并从面向对象 (Object-oriented)的观点讨论了复杂柔性系统的功率流求解策略     

浅谈OMA-3510硫磺比值仪

通过对硫磺比值仪结构、功能及测量原理简单介绍．让我们对硫磺比值仪有个初步的了解。     

刚柔耦合动力系统固有振动特性研究

针对柔性基础上马达的隔振设计问题,建立了刚柔耦合机械系统的动力学方程,对机器基础的模态耦合振动和固有频率偏移进行了数值计算和试验研究。研究结果表明,耦合系统的基频小于机器的安装频率;在高频段,柔性基础模态为耦合系统的主导模态。     

射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.     

分享 携手 双赢 “贝利一天”庆典活动在济南举行

芬兰贝利集团“贝利一天”庆典活动于2009年3月24日下午至25日上午在山东济南隆重召开。此次活动恰逢贝利林业集团总裁John Lindahl先生到访期间，旨在感谢中国政府及合作伙伴对其在华业务发展的一贯支持，增进相互之间的理解和合作，并携手共渡当前的经济危机。