一种完整且精确的化合物半导体HEMT器件大信号模型

A complete and accurate surface potential based large-signal model for compound semiconductor HEMTs is presented. A surface potential equation resembling the one used in conventional MOSFET models is achieved. The analytic solutions from the traditional surface potential theory that developed in MOSFET models are inherited. For core model derivation, a novel method is used to realize a direct application of the standard surfacepotentialmodelofMOSFETsforHEMTmodeling,withoutbreakingthemathematicstructure.Thehigh-order derivatives of I–V /C–V remain continuous, making the model suitable for RF large-signal applications. Furthermore, the self-heating effects and the transconductance dispersion are also modelled. The model has been verified through comparison with measured DC IV, Gummel symmetry test, CV, minimum noise figure, small-signal Sparameters up to 66 GHz and single-tone input power sweep at 29 GHz for a 475 m0.1 m InGaAs/GaAs power pHEMT, fabricated at a commercial foundry.     

沃特世推出最高效的新型ACQUITYUPLCI-Class系统

近日，沃特世（NYSEWAT）公司推出新型Waters ACQUITY UPLC I-Class系统．该系统是目前为止所设计的最高效的UPLC系统，它将分离技术推向了新台阶。     

弹性螺纹夹头在测量技术中的应用

根据弹性夹头定心夹紧机构的定心原理,设计了以螺纹轴线（螺纹孔或螺纹轴）为基准的零件形位公差检具,以避免了以往此类检具采用螺纹分级使用的烦琐和效率低的问题,提高检测效率,经过测量系统分析及试验验证：这项技术的应用切实可行,检具操作简便、准确可靠。     

基于复数权神经元的布尔函数稳健学习算法

复数权神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能.文中根据其数学模型,结合二进感知器神经元稳健设计概念,提出了该神经元的稳健性数学定义,并根据定义,得到了简单逻辑和异或逻辑的单个神经元稳健实现方案.然后根据该方案提出了任意复杂布尔函数稳健实现算法,同时证明了该算法的正确性.最后通过具体实例演示该算法实现布尔函数的过程和...     

一种带共模反馈电路的套筒式全差分运算放大器

基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种带共模反馈电路的套筒式全差分运算放大器.该电路主要由套筒式结构的主运放、偏置电路和共模反馈电路组成.仿真结果表明,设计的电路开环增益为79.4 dB,单位增益带宽为179 MHz,相位裕度为75.5°(负载Cload= 3 PF),功耗为2.31 mW.提出了一种全...     

随机掺杂波动引起纳米MOSFET漏电流失配模型

当MOS集成电路进入纳米特征尺寸,随机掺杂波动对集成电路性能至关重要,因此实现适应纳米工艺的MOSFET电流失配模型以早期预测器件性能显得十分迫切。本文研究了随机掺杂波动引起的阈值电压和有效迁移率变化的表达式,并应用一个经过改进的适用于65纳米工艺ALPHA律平均电流模型,通过HSPICE仿真的数据拟合并提取相关工艺参数,应用偏离传递公式实现了随机掺杂波动引起的MOSFET漏电流失配模型。在测试条件下,该失配模型计算的标准差与HSPICE的100次蒙特-卡罗仿真结果相比显示相对误差平均值为0.24%,相对标准差为0.22%。表明该失配模型有效分析了随机掺杂波动引起的物理传导机制,简单又能保证精度。     

Investigation and modeling of the avalanche effect in MOSFETs with non-uniform finger spacing

This paper investigates the effect of a non-uniform gate-finger spacing layout structure on the avalanche breakdown performance of RF CMOS technology.Compared with a standard multi-finger device with uniform gate-finger spacing,a device with non-uniform gate-finger spacing represents an improvement of 8.5%for the drain-source breakdown voltage(BV_ds) and of 20%for the thermally-related drain conductance.A novel compact model is proposed to accurately predict the variation of B V_ds with the total area of devices,which is dependent on the different finger spacing sizes.The model is verified and validated by the excellent match between the measured and simulated avalanche breakdown characteristics for a set of uniform and non-uniform gate-finger spacing arranged nMOSFETs.     

射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET. 该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明，输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应，关态的击穿电压达13V，在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz，直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.     

动态链接库DLL编程的相关应用技术与探讨

动态链接库(DLL)是Windows最重要的组成要素之一,Windows中的许多功能、特性都是通过DLL来实现的.动态链接库(.dll)是包含共享函数库的二进制文件,可以被多个应用程序同时使用.对于一些常用的资源,如图标、位图、字符串和对话框之类的资源,把它们做到DLL中后,就可以被多个应用程序所共享.     

基于Flowmaster软件的风电齿轮箱润滑系统研究

针对传统齿轮箱润滑系统设计中存在的诸多不足,提出了基于Flowmaster软件的设计方法。以某型号风电齿轮箱为例,计算功率损失和供油量;对润滑系统进行仿真分析,并优化设计方案;试验验证了设计润滑系统的有效性。结果表明,运用Flowmaster软件设计风电齿轮箱润滑系统,能够实现对流量和压力的精确控制;温度变化对齿轮箱系统压力影响很大,设计时应予以考虑。