试验机软件联网方式的探讨

介绍了目前试验机软件联网的两种"无缝连接"的主要方式:数据库方式和动态链接库方式.根据第三方软件公司在与试验机厂家联网过程中出现的问题.在保证试验机控制系统安全性的前提下,能方便快捷地为用户实现联网,着重介绍了动态链接库联网方式.     

试验机软件界面自动匹配设计

随着计算机显示器的不断发展,为了适应各种不同大小分辨率的显示器,并且完美的展现软件界面,使用编程工具获取、设置显示器分辨率,在试验机软件中实现了界面的自动匹配。     

基于表面势的GaN HEMT 集约内核模型

从器件表面势机理出发,考虑载流子浓度升高时费米势的变化,首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式,重构表面势源头方程,提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件模型的方法,建立了包括积累区和过渡区的物理基集约内核模型。表面势引入模型突破了现有的建模技术,给集约模型的建立提供可信的内核模型方程和理论基础。模型采用解析近似求解获得表面势,Pao-Sah模型验证可行性,I-V、C-V特性曲线与TCAD软件仿真的结果有很好的拟合,能准确描述各种偏置条件下GaN HEMT的电流、电荷特性。     

高速锗硅异质结双极晶体管HICUM可缩放模型

介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参数缩放数学方程.建立的可缩放模型在商用仿真器中进行了仿真验证,模型仿真结果与测试数据有很好的吻合.     

模拟电路MOSFET晶体管失配研究:模型和参数

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了...     

基于节点搜索的微电网自适应保护方法

由于微电网拓扑结构灵活多变,且并网及孤岛运行时故障特性不同,使得传统的继电保护难以满足要求。针对微电网继电保护的需求特点,提出基于故障电流方向判别的微电网自适应保护方法,将微网实时拓扑结构转化为树形节点路径图,采用树形节点搜索方法及节点路径算法对微网内保护装置的动作值及动作时限进行自适应整定。在此基础上提出基于IEC 61850的微电网自适应保护系统。仿真算例结果证明了所提方法的有效性。该方法能够有效跟踪网络拓扑结构变化而实时更改保护整定值,具有较好的自适应性。     

提高定向钻穿越一次成功率

由于地下工程的不确定性,复杂地层的定向钻穿越施工风险大,一旦失败,则之前的所有投入将全部作废。通过对以往定向钻穿越失败原因进行统计,分析归纳了定向钻失败原因,制定针对性措施,对以后长输管道定向钻穿越施工监理有重要指导作用。     

基于可调谐光纤环形镜滤波器的多波长布里渊掺铒光纤激光器

通过使用非线性放大的光纤环形 镜滤波器(AFLMF),构造了一种新颖的多波长布里渊掺铒光纤激光器(E DFL)线形结构。非线性AFLMF由掺铒光纤放大器(EDFA,由980n m泵浦抽运 一段EDF构成)、偏振控制器(PC)和耦合器构成,减少了腔内基于波长的损耗,并且能够灵 活地控制反射 光以及激光腔内输入和输出光的强度。在布里渊泵浦功率为25mW、 980nm泵浦功率为200mW时,获得了波 长间隔为0.08nm的14个波长的激光输出以及50nm的可调谐范围。通过调节980nm抽运光功率、PC以及布里渊泵浦光波长,实现了可调谐的多波长输出。研究 了980nm抽运光功率以及PC对斯托克斯光波数的影响。     

光学芯片商业仿真软件的开发与应用

光学波导器件的折射率分布情况以及几何尺寸对光波在其中传输的影响很大,给器件的设计带来极大困难,而用传统的依靠实验手段设计光波导器件就显得更加耗时耗力。为此,设计出一款仿真光波导器件的软件,该软件完成了CAD图形交互式编辑、仿真结果图形输出等多个核心模块的设计和编码实现。该CAD软件采用了先进的有限差分光束传播（FD-BPM）仿真算法,为光学芯片设计技术提供了一套具有实用价值的解决方案和软件工具。     

粗调和细调相结合的标准CMOS低噪声环形压控振荡器

本文提出了一种基于65nm CMOS标准工艺、采用粗调和细调相结合的低噪声环形压控振荡器。论文分析了环形振荡器中的直接频率调制机理,并采用开关电容阵列来减小环形压控振荡器的增益从而抑制直接频率调制效应。开关电容采用电容密度较高的二维叠层MOM电容使该压控振荡器与标准的CMOS工艺兼容。所设计压控振荡器的频率范围为480MHz～1100MHz,调谐范围为78%,测试得到输出频率为495MHz时的相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz。该压控振荡器在1.2V的偏压下的功耗为3.84mW,相应的优值(FOM)为-169dBc/Hz。