单拍、单周脉冲发生器

本线路可以很方便地获得任意个数的单拍脉冲信号。脉冲个数由预置选择开关给定。如果选择开关置1,便可以产生单周脉冲信号,即单脉冲信号。每个脉冲都是选择在振荡器完整的一个周期,并从前沿开始。线路结构如图所示。反相器J_1～J_3组成振荡器,产生频率可调的连续方波,根据需要,方波的输出可以     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

从劲舞风波看韩国公司的合纵连横计

最近几个月,无论是九城还是久游网,为了一个<劲舞团>,都多少有点闹心.九城是得而复失,原本一个借"机"下蛋的好买卖,最终竹篮打水一场空,成了镜花水月.久游网是失而复得,本来归属权很明了的一个游戏就因此变得多少有点悬念.而就在这失而复得的空档中,久游网暂停了上市日本的计划,闹出了和韩国T3公司之间所谓的账务纠纷,闹得沸沸扬扬.虽然它一再澄清,但名誉有些受损,经济受困.尽管最后总算拿回了失去的东西,也将恢复在日本的上市计划,但中间的一番波折已经让久游网承受了太多压力和冲击.     

真空校准装置测控系统的设计

介绍了真空比对校准装置的测量原理和工作方法,动态直接比对法、静态直接比对法和静态膨胀法等三种方法,满足了拓宽量程的需求.测控系统是真空比对法校准装置的核心系统,开发了基于虚拟仪器LabVIEW软件的控制程序,并在真空校准装置中的主标准器电容薄膜规和磁悬浮转子规等中得到了应用.详细介绍了系统的硬件组成和软件的设计.实现了数据的自动采集和保存.提高了校准装置的自动化水平和工作效率.该装置可以对1×105～5×10-4Pa范围内的各类真空规进行校准,是一种结构简单、操作方便、检定效率高、实用性强的真空标准装置.     

神经电生理微电极阵列检测系统研制

该文设计了基于微电极阵列的16通道神经电生理信号检测系统。检测系统由硬件和软件两部分组成,其中硬件部分可分为以下3个模块：微电极阵列接口模块,用于实现微电极阵列和检测系统的可靠连接;多通道信号放大模块,用于对微弱电生理信号进行提取并放大至合适的幅度;数据采集模块,对放大后的电生理信号进行高速数据采集并通过USB2.0接口和计算机相连。软件部分采用多线程、多缓存等技术保证对信号的实时观测和分析。对检测系统的主要参数进行了测试,并结合实验室自制神经微电极阵列对SD大鼠海马区脑切片进行神经电生理信号的检测。系统的输入噪声Vrms2 V,放大倍数为1000倍,频率带宽范围为10~3000 Hz,并且能够检测到放电幅度为20 V左右的神经电生理信号。该文针对微电极阵列神经电生理信号检测中的技术难点,从硬件和软件设计上保证微弱信号的提取,检测系统的分辨率可达0.6 V,各项参数能够满足神经电生理信号的检测需要。     

日本开发分离DHA新技术

<正>日本东京农业大学与岛津制作所共同研究成功分离DHA（廿二碳六烯酸）新技术。以前,常用银离子与不饱和键形成配位化合物方法分离、精制DHA,但因银化合物价格昂贵,而且食品医药原料尽可能避免有金属混入,故要求确立新的分离技术。     

基于分裂超连续光谱的全光量化方案研究

全光模数转换是全光通信中很重要的一个环节,它利用光子学的高带宽、高精度,可以用来实现高采样速率、高比特精度的模数转换.全光量化是其中的一个核心步骤,决定了转换的速度和精度.提出了一种基于分裂超连续光谱的全光量化方案,并通过仿真软件设计光路对该方案进行了仿真.结果表明,该方案是行之有效的.     

比尔·盖茨新能源计划

当比尔·盖茨对某样新事物感兴趣时,他那条理清晰、学识渊博的大脑会学习关于此新事物的所有知识,并思考如何使之变得更好.而在近些年,全球能源问题日益突出,正值大力发展低碳经济之时,这位微软公司以及比尔和梅琳达·盖茨基金会的共同创始人也对能源问题大感兴趣. 2006年,盖茨出资若干亿美元资助泰拉能源公司(TerraPower),集全美先进核能研发精英共同开发其看中的行波反应堆这一革命性核能源技术.     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.