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硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响 总被引:4,自引:2,他引:4
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5~1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%~4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6~0.9,可以得到晶化率在40%~55%的微晶硅材料. 相似文献
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Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) absorbers were deposited on borosilicate glass substrate using the low-temperature process, and different Na incorporation methods were applied to investigate the effects of Na on the CZTSe growth. Na was diffused into some of the absorbers after growth, which led to strongly improved device performance compared with Na-free cells. With the post-deposition treatment, the effect of Na on CZTSe growth was excluded, and most of Na was expected to reside at grain boundaries. The conversion efficiency of the completed device was improved due to the enhancement of open circuit voltage and fill factor. The efficiency of 2.85% was achieved at substrate temperature as low as 420 oC. 相似文献
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本文在掌握大量案例的基础上,分析了全球邮政、快递行业应用RFID技术的发展空间、应用现状,提出了我国邮政企业实施RFID在技术层面上的若干问题并提供了建议。 相似文献
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南部断阶带为苏北盆地高邮凹陷边界构造带,由吴堡断阶带和真武断阶带两个部分组成,具有复杂的构造作用过程和构造样式。在南部断阶带几何学特征研究基础上,以应力-应变分析理论为指导,利用平衡剖面法反演所得的伸展率进行横向对比,明确高邮凹陷各时期的优势伸展方位,从而分析南部断阶带的构造作用及其对构造样式的控制。结果表明,高邮凹陷优势伸展方位经历了NW向(K2t2-E2d),NS向(E2s)和NW向(Ny-Qd)的变化过程,首次从定量角度深入认识了高邮凹陷晚白垩世以来的构造应力场方向。由于不同时期优势伸展方位与断阶带呈不同角度斜交,吴堡断阶带经历了纯伸展、右行走滑-伸展与纯伸展3期构造作用,形成了平面斜交式和剖面马尾状的简单断层组合样式;真武断阶带经历了左行走滑-伸展、右行走滑-伸展和左行走滑-伸展3期构造作用,形成了平面网格式与剖面复式马尾状的复杂断层组合样式。伸展速率与走滑速率研究表明,断阶带伸展与走滑作用主要发生在阜宁组、戴南组和三垛组,多期次的走滑-伸展作用是南部断阶带构造样式的主要控制因素。 相似文献
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对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×1015 cm-3,迁移率>4 500 cm2·V-1·s-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。 相似文献
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