电阻焊机主可控硅触发电路可靠性的提高

对交流电阻焊机在触发主可控硅瞬间,焊机发出剧烈震动的原因进行了分析;并对采用小容量辅助可控硅触发主可控硅且两者用同一交流主电源供电的间接式触发电路,分析指出了主可控硅极易烧坏的原因;给出了解决上述问题的对策。     

基于酶解-膜分离集成的胶原蛋白肽分子量控制技术

采用酶解-膜分离集成工艺制备分子量范围可控的胶原蛋白多肽,研究反应过程中酶种类、截留分子量和过滤体积等因素对酶解-膜分离集成工艺的影响.结果表明,用截留分子量为3 k Da的超滤膜处理的透过液分子量主要分布在4.0,1.6和0.6k Da,比例分别为13.7%,34.8%和51.4%;用截留分子量为8 k Da的超滤膜处理的透过液分子量主要分布在8.3,4.0,1.6和0.6 k Da,比例分别为14.5%,22.7%,37.7%和25.1%;酶解-膜分离集成工艺蛋白转化速率比酶解过程提高15%,表明酶解-膜分离集成可以加快大分子蛋白转化率,并使酶解产物分子量均一可控.     

异丙醇溶液中电化学法制备类金刚石薄膜的研究

采用电化学方法,以分析纯的异丙醇溶液作为碳源,低温(60～70℃)常压条件下,在(100)硅片上沉积了类金刚石薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱仪(Raman)和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)表征了薄膜的表面形貌和结构。结果表明,电解异丙醇溶液可以获得表面均匀致密且sp3碳含量较高的含氢类金刚石薄膜。     

等离子体浸没式离子注入沉积技术及应用

等离子体浸没式离子注入沉积是近年来迅速发展的一种材料表面改性新技术,其基本原理是,作为靶的工件外表面全部浸没在低气压、高密度的均匀等离子体中,工件上施加频率为数百赫兹、数千至数万伏高压负脉冲偏压.它克服了传统方法所具有的薄膜沉积或离子注入存在方向性的固有缺陷,因此在复杂形状的三维工件表面改性工艺与技术上表现出无与伦比的优越性.该技术可以有多种工作模式,在离子注入前、注入期间或注入后进行原位清洗、刻蚀或薄膜沉积.作为应用实例,本文给出在复杂形状构件上合成均匀类金刚石或纳米金刚石薄膜的实验结果,最后指出等离子体浸没式离子注入沉积技术的发展趋势和工业化应用尚需解决的问题.     

热丝法制备多晶硅薄膜的研究进展

综述了热丝化学气相沉积法(HWCVD),制备多晶硅薄膜的发展过程,着重介绍了这种制备方法在近几年的研究进展,并展望了今后发展趋势和前景.     

日本关于固相扩散焊界面空洞收缩机理的研究

日本学者对固态扩散焊界面空洞收缩机理进行了系列研究：（1）提出了二维界面几何模型;指出界面空洞收缩是在塑性变形、粘塑性变形、界面扩散及体积扩散四大机制作用下实现的：并估算了各机制的作用大小,（2）在基于空位扩散的界面扩散的数值计算中,考虑了因界面扩散引起的刚性位移及在不同接合率下的空沿间隔2L的变化;另外还研究了空洞表面扩散快慢对界面扩散的影响。（3）首次提出了粘塑性变形机制的有限元模型,并发现在扩散焊后期拘束对空洞收缩速度有显著的抑制作用。     

非晶态金属箔带作中间层的瞬间液相扩散焊焊管技术

介绍了近下搂日本在采用瞬间液相扩散焊焊管方面的一睦进展,并综合分析了其原因。     

类金刚石薄膜作为MgF2红外增透和保护膜的研究

系统地研究了ＭｇＦ２衬底上类金刚石薄膜的折射率和生长速率与淀积工艺之间的关系，在ＭｇＦ２衬底上成功地设计并制备了红外增透和保护膜。理论与实验研究表明，类金刚石薄膜使ＭｇＦ２的红外透过率提高３％以上是完全可靠的，但起红外增透和保护是作用的统一性问题仍有待进一步研究。     

钛合金与GCr15扩散连接界面组织特征与性能

钛合金/轴承钢异种结构连接困难是制约钛合金广泛应用的瓶颈.采用电子拉伸显微硬度测试、SEM扫描、能谱、X射线衍射等分析手段,分析研究了Ti-6Al-4V/Cu/GCr15真空扩散焊接头的力学性能、组织结构特征、连接界面的原子扩散机制、反应相生成及其分布范围.结果表明,在焊接压力4.9MPa,焊接时间1.8ks条件下,接头的抗拉强度随焊接温度升高而增大,1273K达到最大为206MPa.延长焊接时间会导致金属间化合物厚度增大,对接头性能不利.接合界面间生成的α-Ti(Cu)固溶体,有固溶强化效果,对提高接头性能有利.而生成的金属间化合物Ti2Cu,Ti2Cu3,(Ti3Cu4)FeTi中的TixCuy对接头性能影响较大,导致接头强度下降.铜作为钛合金与GCr15的中间过渡层不宜过厚.