NO分子A2∑(v′＝1)→X2∏(v＂＝1～11)跃迁的激光诱导荧光光谱

用Nd:YAG激光器泵浦光学参量发生放大器做激发源,利用激光诱导荧光光谱技术得到NO分子在200～370 nm范围内的荧光光谱,谱线峰值归属于A2∑(v′＝1)→X2∏(v＂＝1,3～11)跃迁,用最小二乘法拟合获得NO分子X2∏态振动常数,计算出平衡位置的力常数k.通过测量NO分子在不同气压下A2∑→X2∏跃迁的时间分辨谱,得到A2∑(v′＝1)态的自然寿命为180 ns.结果可为用激光诱导荧光光谱技术探测大气污染物NO分子提供理论及实验参考.     

SiH_4分子的光声谱及声速的测量

光声光谱分析法作为一种对物质进行定性、定量和结构分析等研究的手段，已被广泛用到     

NO分子X^2П→A^2∑双光子跃迁选择定则的讨论

利用共振增强多光子离化光谱技术，获得了NO分子A^2∑(u′=0，1)态的2 2共振多光子离化光谱。通过对上述离化过程中NO分子所表现出的不同于普通双原子分子的双光子跃迁选择定则的分析与讨论，得出NO分子由基态向A^2∑态的双光子跃迁遵循与碱金属原子双光子跃迁选择定则相类似的结论，并利用NO分子A^2∑(u′=0，1)态的双光子荧光激发光谱对上述分析结论进行了进一步的确认。     

低沸工质的低温余热发电(上)

本文介绍了低沸工质的特性及其动力循环,并与水汽法进行了比较。对炼厂150℃以下余热的技术经济分析,提出动力回收以工质法为优;同时就人们对工质循环的疑虑,结合国内实际情况,说明关键问题已经突破,并认为实现低沸工质的低温发电对炼厂低温热能利用具有一定的现实意义。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光声激光偏转(OLD)测量了强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4-H_2系统产生等离子体淀积(LPCVD)硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH_4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光—声激光偏转(OLD)技术研究了激光等离子体淀积(LPCVD)硅膜中的激波动力学过程。证明激波对淀积膜的结构、均匀性及面积有重要影响。     

C与Si重构表面碰撞过程的分子动力学模拟

利用 Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能 C原子与 Si(0 0 1) - (2× 1)重构表面碰撞动力学过程中入射 C原子能量随时间的变化情况 ,观察到了 C原子和表面 Si原子成键过程中 C原子的吸附、Si原子二聚键的打开、C原子的徙动以及 C、Si原子成键等物理过程 ,并对不同入射位置处入射 C原子和表面 Si原子碰撞过程中能量转移机理进行了分析。模拟结果表明 ,C原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程 ,而 C原子能量的提高有利于成键过程的发生 ,结果为 Si C在Si表面生长初期物理过程的认识提供了参考数据     

NO分子X2Π→A2Σ双光子跃迁选择定则的讨论

利用共振增强多光子离化光谱技术 ,获得了NO分子A2 Σ(υ′=0 ,1)态的 2 2共振多光子离化光谱。通过对上述离化过程中NO分子所表现出的不同于普通双原子分子的双光子跃迁选择定则的分析与讨论 ,得出NO分子由基态向A2 Σ态的双光子跃迁遵循与碱金属原子双光子跃迁选择定则相类似的结论 ,并利用NO分子A2 Σ(υ′ =0 ,1)态的双光子荧光激发光谱对上述分析结论进行了进一步的确认。     

碘分子BⅡ0_u~+态荧光激发谱研究

本文以染料激光器的输出激发碘分子 ,采用荧光激发谱技术对碘分子 BΠ0 + u 态进行了实验研究 ,对所得荧光激发谱进行了标识 ,在此基础上计算了碘分子该态的分子常数 ,与理论值符合较好     

NO分子A^2∑发辐射寿命测量

利用激光光谱技术得到在不同气压下A2∑(v'=0,1)→X2∏(v"=0)跃迁的荧光辐射时间分辨谱,在此基础上得到A2∑(v'=0,1)两态的自发辐射寿命t0分别为195 ns和180 ns及无辐射驰豫速率常数kq分别为4.63×104kg-1@ms和3.90×104kg-1@ms.同时将时间分辨谱上产生较大波动的原因初步归结为较宽的激光脉宽所引起的量子拍频现象.