车用传动轴的优化设计研究

为了进一步改善传动轴系统在运行过程中的平稳性,降低其振动幅度,以某重载自卸车内部的传动轴系统为研究对象,通过理论研究与试验分析等手段,对传动轴系统进行设计优化,以有效缓解振动问题。     

人发角蛋白溶液的制备及其性能研究

针对大量的人发短纤维被丢弃的现象,本文采用碱法溶解废弃人发制备角蛋白溶液,通过对氢氧化钠用量、反应温度和反应时间的单因素进行对比实验,以人发溶解率和角蛋白溶液质量分数为测试指标,确定最佳反应条件。实验结果表明,当氢氧化钠浓度为0.4mol/L、反应温度为80℃、反应时间为3h时,人发溶解率达到90.42%,角蛋白溶液质量分数为5.66%,且稳定性好;SDS-PAGE显示角蛋白分子量在15kDa以下;FTIR和XRD显示角蛋白的分子结构从α-螺旋结构转变为β-折叠结构。碱法溶解人发导致多肽链降解,角蛋白的分子量降低,其二级结构发生变化,与还原法相比,虽然碱法提取的角蛋白分子量比较低,但具有高人发溶解率和高角蛋白含量的优点。该研究对保护环境方面具有重要意义。     

大学班级优化管理探讨

班级是根据教育和管理的需要组织起来的基层单位，是学生学习和生活的主要场所。针对班级管理存在的问题，我们必须制定出优化管理的办法：明确的班级目标；完备的规章制度；有效的管理模式；等等。     

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。     

CMOS图像传感器时序控制方法研究与实现

针对CMOS图像传感器滚筒式曝光模式,研究采用多种曝光时间,实现多线段拟合像素输出特性曲线,扩展传感器的动态范围,并改善其平滑性,提高图像清晰度;应用电源保护环、像素二次采样等方法消噪。电路选用charter 0.35μm工艺,经仿真验证满足设计要求。     

CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计

针对CMOS有源像素传感器,提出一种降低固定模式噪声(FPN)的列读出电路.通过对普通列读出电路进行改进,在双采样电路基础上,增加了失调电压补偿过程.数学分析和电路模拟结果表明双采样技术可以消除像素内产生的固定模式噪声,采用失调电压补偿技术可以将运算放大器带来的列FPN从毫伏级降为微伏级.该电路已应用于640×480 CMOS图像传感器中,满足低功耗(16.5μW)和窄列宽(8 μm)的要求,并在CHRT 0.35 μm工艺下成功流片,测试结果表明电路可将固定模式噪声降低到1 mV以下,有效改善电路性能.     

多光谱TDI-CMOS图像传感器读出电路设计

针对3D集成式多光谱TDI-CMOS图像传感器的数字化处理和高速读出需求,为了解决与TDICCD探测器的整体布局、物理尺寸和接口的匹配性和一致性问题,研制了适用于五谱段TDICCD的CMOS读出电路芯片。该读出电路芯片创新地设计了一种使用多相位ADC时钟、支持相关多次采样的新型列级单斜ADC电路结构,实现了TDICCD信号的数字化和高速输出,有效提升了探测器的动态范围和噪声指标。流片测试结果表明：读出电路芯片的功能正常,集成式TDICCD的成像效果良好,新型列级ADC工作正常,读出电路以最小9.5μs的行周期输出14 bit数据,相关多次采样具备降低输出信号噪声的作用,实现了TDICCD信号的高精度数字化处理和高速输出,满足3D集成式TDI-CMOS图像传感器的研制要求。     

准噶尔盆地高闭合应力致密储层改造技术研究及应用

准噶尔盆地高闭合应力致密储层是指井深大于3 500 m,闭合应力梯度大于0.02 MPa/m,且由于储层物性差、杨氏模量高、泊松比高,导致地层破裂压力高而难以压开的储层,主要包括西北缘二叠系、车排子凸起侏罗系和白垩系及部分高温超深风险探井钻遇的储层。目前对此类储层改造的重点与难点主要体现在5个方面:①施工风险大、技术选择余地小;②施工易砂堵;③对压裂材料的性能要求高;④微裂缝发育,压裂液滤失严重;⑤设备故障率较高。通过现场实践与研究,形成了以降低井口施工压力技术为核心,支撑剂组合优化技术与施工参数优化技术相结合的高闭合应力致密储层改造技术体系,加重压裂液密度最高达1.365 g/m3,突破了技术瓶颈,使高闭合应力致密储层探井压裂成功率由常规方法的50%提高至100%。     

大尺寸像素电荷转移的优化方法

为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电场,增强电荷转移;版图方面是优化光电二极管的版图为U型,使传输栅伸进光电二极管内尽量长,减少RC模型的传输级数,提高电荷转移效率。与传统像素相比,工艺和版图的优化使电荷转移效率分别提高了2倍和3.3倍,转移时间也分别缩短到传统像素结构的26%和30%左右。对传统像素结构进行工艺和版图同时优化则使电荷转移效率提高了9.5倍。     

基于自适应曝光的CMOS图像传感器的设计与实现

从硬件结构、曝光策略和模拟结果入手,在传统滚筒式曝光基础上,通过对用户设定区域像素饱和值的统计和曝光时间选择算法,提出了一种CMOS图像传感器大动态范围自适应曝光的设计。曝光时间可从1ps至65ms,探测光强范围达到10^1～10^6lux,设计将充分发挥现有像素性能,实现快速实时的自适应曝光需求。