GaAs阴极激活氧源获得技术研究

为满足制备GaAs阴极高灵敏度的需要,对三种获得高纯氧的方法进行了试验研究。结果表明,膨胀法进氧纯度最低,银管渗氧纯度高于80%,过氧化钡氧纯度最高,可高达90%。经阴极激活证明,用过氧化钡氧源制成的三代管内阴极灵敏度最高,是获得负电子亲合势高灵敏度阴极的最佳氧源。     

A dynamic range extension scheme applied to a TDI CMOS image sensor

A dynamic range extension scheme applied to a time delay integration （TDI） CMOS image sensor （CIS） is presented. Two types of pixels with higher and lower conversion gain are adopted in the pixel array, which are suitable for capturing images in low and high illumination respectively. By fusing the two kinds of pixels＇ output signals in the process of TDI accumulation, a high dynamic range image can be achieved. Compared with the traditional multiple integration technique, no photoelectrons generated during the exposure time are discarded by the reset operation, and thus a higher level of signal-to-noise ratio （SNR） can be retained. A prototype chip with an 8 × 8 pixel array is implemented in a 0.18 μm CIS process, and the pixel size is 15 × 15 μm2. Test results show that a 76 dB dynamic range can be achieved in 8-stage TDI mode, when the SNR boost can reach 7.26 dB at 90.8 lux.     

列级反馈降低复位噪声的CMOS图像传感器

提出了一种通过放大器和开关建立起反馈环路,基于列级反馈复位的低噪声CMOS图像传感器（CIS）。设计的CMOS图像传感器采用0.18μm CIS工艺进行了流片,测试结果表明,通过对噪声带宽与反馈放大器的带宽匹配,在复位脉冲下降沿时间为6µs的条件下,传感器的复位噪声减少25dB,满足低照度高速的安防监视系统的应用需求。     

二代微光成像器件阴极材料放气成份分析

用四极质谱计对光电阴极碱源材料放气成份进行质谱分析，给出了分析结果，并对所放出有害气体给制备光电阴极带来的影响进行了讨论。     

基于玉米棒的环境友好材料研究(Ⅰ)玉米棒的液化反应及植物多元醇的制备

在以聚乙二醇400(FEG400)和一缩二乙二醇(DEG)作为液化试剂,在硫酸催化作用下玉米棒(CB)主要成分聚多糖和木质素能被液化,液化率可达90%,所得液化多元醇羟值为2 mmol/g KOH～3.5 mmol/g KOH,粘度在400 mPa*s～1200 mPa*s,符合半硬质聚氨酯泡沫体要求.同时考察了各种液化参数对液化效果的影响,通过红外光谱表征了液化反应过程中成分的变化.     

基于玉米棒的环境友好材料研究（I）玉米棒的液化反应及植物多元醇的制备

在以聚乙二醇 4 0 0 (FEG4 0 0 )和一缩二乙二醇 (DEG)作为液化试剂 ,在硫酸催化作用下玉米棒(CB)主要成分聚多糖和木质素能被液化 ,液化率可达 90 % ,所得液化多元醇羟值为 2 mmol/ g KOH～3.5 mmol/ g KOH,粘度在 4 0 0 m Pa.s～ 1 2 0 0 m Pa.s,符合半硬质聚氨酯泡沫体要求。同时考察了各种液化参数对液化效果的影响 ,通过红外光谱表征了液化反应过程中成分的变化     

采样信号全摆幅的失配不敏感开关电容二倍放大器

本文提出了一种对电容失配不敏感的开关电容二倍放大器。此结构在放大阶段通过交叉串联两组每组两个电容实现放大功能,并且允许采样信号共模值达到全摆幅。此电路采用电荷补偿技术减小了寄生电容对增益精度的影响。仿真结果显示当采样信号共模值在全摆幅内摆动时,增益误差变化不超过0.03%。当电容失配从0增加到0.2%,增益误差恶化了0.00015%。在所有的仿真中运放的开环增益为69dB。     

一种基于三联锁结构的单粒子翻转加固锁存器

本文提出了一种基于三联锁结构的单粒子翻转加固锁存器。该锁存器使用保护门和反相器在其内部构建三路反馈,以此获得对发生在任一电路节点上的单粒子效应的自恢复能力,有效抑制由粒子轰击半导体引发的电荷沉积带来的影响。本文在详细分析已报道的三种抗辐射锁存器结构可靠性的基础上,针对其在单粒子效应作用下,或单粒子效应和耦合串扰噪声的共同作用下依然可能发生翻转的问题,指出本文提出的锁存器可通过内部的三联锁结构对上述问题进行有效的消除。所有结论均得到电路级单粒子效应注入仿真结果,以及基于经典串扰模型模拟串扰耦合和单粒子效应共同作用的仿真结果的支持和验证。     

基于DPCM-Huffman压缩算法的图像传感器去暗电流系统

为了解决图像传感器暗电流消除过程中数据存储问题,本文提出了一种基于DPCM-Huffman压缩算法的数据压缩去暗电流系统并进行硬件实现;在该系统工作之前,首先通过DPCM与Huffman组合压缩算法将图像传感器暗电流数据进行编码压缩,并将压缩后的数据存储于FLASH存储器中。而后在图像传感器工作过程中,通过读取存储器中数据,进行Huffman与DPCM解码,最终消除图像传感器中的暗电流。实验证明,采用该压缩去暗电流系统处理后,以分辨率为256×256的CMOS图像传感器为例,压缩后数据压缩比为3.12,数据量降为原始数据的32%,提高3倍的工作速度。实践证明,本文提出的解压系统提高了数据压缩比,保证了数据精度,提高了图像传感器的工作速度,是一种适用于CMOS图像传感器暗电流消除的压缩系统。