CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计

针对CMOS有源像素传感器,提出一种降低固定模式噪声(FPN)的列读出电路.通过对普通列读出电路进行改进,在双采样电路基础上,增加了失调电压补偿过程.数学分析和电路模拟结果表明双采样技术可以消除像素内产生的固定模式噪声,采用失调电压补偿技术可以将运算放大器带来的列FPN从毫伏级降为微伏级.该电路已应用于640×480 CMOS图像传感器中,满足低功耗(16.5μW)和窄列宽(8 μm)的要求,并在CHRT 0.35 μm工艺下成功流片,测试结果表明电路可将固定模式噪声降低到1 mV以下,有效改善电路性能.     

二代近贴聚焦像增强器纳秒响应技术研究

从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术改造,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.     

基于自适应曝光的CMOS图像传感器的设计与实现

从硬件结构、曝光策略和模拟结果入手，在传统滚筒式曝光基础上，通过对用户设定区域像素饱和值的统计和曝光时间选择算法，提出了一种CMOS图像传感器大动态范围自适应曝光的设计。曝光时间可从1ps至65ms，探测光强范围达到10^1～10^6lux，设计将充分发挥现有像素性能，实现快速实时的自适应曝光需求。     

14位流水线A/D转换器采样电容值的优化

针对14位流水线A/D转换器中各级采样电容值的优化问题,提出了在系统模型中加入热噪声模型的方法。在14位流水线A/D转换器结构下,通过系统级仿真,得出采样保持放大器(SHA)的采样电容Cs必须大于10 pF,第一级余数放大器的采样电容必须大于2 pF,才能使有限的采样电容引起系统信噪比的衰减小于1 dB的结论。     

在Delphi中控制Word

本文介绍了在Delphi中通过CreatOleObject函数来启动Word自动化对象Word．Basic的方法．并探讨了结合Word宏实现对Word控制的方法。     

CMOS图像传感器时序控制方法研究与实现

针对CMOS图像传感器滚筒式曝光模式,研究采用多种曝光时间,实现多线段拟合像素输出特性曲线,扩展传感器的动态范围,并改善其平滑性,提高图像清晰度;应用电源保护环、像素二次采样等方法消噪。电路选用charter 0.35μm工艺,经仿真验证满足设计要求。     

微光管大面积GaAs负电子亲合势光电阴极(NEA)光谱特性测试与分析

结合微光管研制,对大面积GaAs与玻璃粘接制备的透射式光电阴极的光谱特性进行在线测试,并对测试结果进行了分析讨论。依据光谱特性的变化,分析了影响阴极发射性能的根源。当激活工艺稳定状态下,光谱性能差是因GaAs发射层表面氧化,受碳污染及玻璃粘接应力过大等因素造成。通过对发射层表面处理技术研究,确定了阴极制备工艺,制成了管内阴极灵敏度为1400μA/lm的NEA光电阴极和主要性能合格的微光管,使微光管研究有了突破性进展。     

高同步性四路弹翼解锁机构的设计与试验研究

采用钝感电起爆器作为动力装置,设计了一种以燃气爆发点为中心,高压燃气沿"十"字型气体通道同步传输做功的弹翼解锁机构。通过对机构输出装药的性能裕度试验、解锁功能试验、解锁同步性试验,测得锁紧销回缩到位,满足功能要求;最大解锁作用时间5ms,解锁同步性0.27ms,解锁过程无燃气泄漏现象。结果表明,本文设计的弹翼解锁机构具有解锁作用时间短、低冲击、同步性高、密封性能好等特点,为同类产品的设计提供了一定参考。     

微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。