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91.
制作双层塑料瓶通常采用共挤吹机械,利用共注吹设备制造双层塑料瓶却少有报道。共注吹生产的双层塑料啤酒瓶是一种全新思想的产品,需要在包括原材料、机械、模具、工艺以及产品细部结构等方面做相应的改变。以下作一个具体的介绍。一、结构图形双层塑料啤酒瓶采用内外两层塑料复合而成。内层料的厚度较薄,外层料较厚,瓶子各处两层料的厚度可根据需要作相应的调整;瓶子尺寸及形状可任意设计;瓶嘴部做特殊处理,将内层料翻包到外层。二、原材料塑料啤酒瓶的阻隔性、耐热性、耐气压性、力学性能等有严格的要求,同时又有降低成本的要求,所以,其原… 相似文献
92.
交流特高压1000kV级绝缘子选型研究 总被引:5,自引:0,他引:5
为了进行特高压1000kV线路绝缘子选型,对不同类型的大吨位大盘径绝缘子,在不同污秽条件、不同气压下进行了系列的人工污秽试验。试验表明,随着海拔高度的升高,绝缘子的闪络电压会有规律地降低。绝缘子的伞型和污闪电压之间有直接的联系。提出了特高压1000kV交流绝缘子选型建议。建议在轻污秽及中等污秽地区首选三伞型绝缘子,在轻污秽地区,也推荐采用双伞型绝缘子。对于中等及以上的重污秽地区,建议采用复合绝缘子。建议在特高压1000kV上不采用该300kN普通型绝缘子。 相似文献
93.
特高压直流输电技术可实现远距离、大容量的能源高效配置,相较±800kV,±1100kV输电效率和输电距离可进一步提升,经济社会效益显著。±1100kV线路塔头尺寸受绝缘子串长的影响,可通过长串人工污秽试验得到的污闪特性确定。为保证±1100kV直流工程的安全性和经济性,应在±1100kV全电压、全尺寸以及不同并联间距等条件下开展人工污秽试验,获得污闪特性。特高压直流试验基地的±1400kV/2A特高压直流污秽电源解决了电源在最高输出电压和大电流负载时的电压稳定性问题。人工气候罐的污秽试验系统突破了超长尺寸试品污秽试验雾的均匀性控制问题。这两项关键技术使得±1100kV等级全电压、全尺寸试验具备条件。在此基础上,开展了串长最高至15.6m、全电压至直流1100kV、并联时不同串间距(500~1000mm)以及最高至6并联的多串并联的直流污闪试验。通过±1100kV全电压下的长串试验,获得了绝缘子串长、并联串间距、串形和污闪电压的关系。结果表明,串长和污闪电压在±1100kV以下范围内呈线性关系。±1100kV绝缘子双串或多串并联时,为保证串间不相互影响,建议串间距大于600mm。根据概率分析,大跨越在采用多串并联时需进行串长修正,并计算给出了不同条件下的修正系数。采用升降法,试验获得了±1100kV长串绝缘子在全电压范围内的串长和闪络电压关系,给出了并联串间距对污闪电压的影响,以及多串并联对污闪电压和外绝缘设计的影响,研究结果可直接应用于±1100kV线路外绝缘设计。 相似文献
94.
95.
新形势下浙江民营纺织业发展的问题与对策 总被引:1,自引:0,他引:1
加入WTO后,国际国内经济环境发生了巨大的变化,民营纺织业的发展面临新的挑战。本通过对浙江民营纺织业的现状分析,找出新形势下民营纺织业发展的问题所在,并就此提出一些相关对策建议。 相似文献
96.
基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-Rail CMOS运算放大器.本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS.sat.运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类推挽电路作rail-to-rail输出级,获得了高驱动能力和低谐波失真.芯片测试结果表明,在100pF负载电容和1K负载电阻并联条件下,运放的静态功耗只有270μW,开环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了70dB,2.2MHz和60. 相似文献
97.
98.
研究分析了数千年中国龙纹及龙凤呈祥纹饰的发展演变,结合中国剪纸艺术,设计适合纺织品编织的龙凤呈祥图案.经过数码针织横机软件制版、上机编织及检验整理,对龙凤呈祥单元针织样片分析得出:数码软件设计的龙凤呈祥图案经过上机编织,其图案的灵动性及色彩设计能真实表达设计的意蕴.通过数码针织技术快捷、方便地再现龙凤呈祥纹饰,很好地将... 相似文献
99.
徐跃 《微电子学与计算机》2009,26(12)
采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺设计了一个应用于光纤传输系统的10Gbit/s CMOS 1:8分接器.整个系统采用树型结构,由3级1:2分接器、2级1:2分频器、级间缓冲器和输入、输出接口电路构成.为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合场效应管逻辑来实现.使用SmartSpice进行了仿真,结果表明:在电源电压为3.3V时,电路的最高工作速率可以达到10Gbit/s,电路功耗约为800mW. 相似文献
100.
输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器 总被引:3,自引:2,他引:1
设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence SpectreRF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24~2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mw. 相似文献