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文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着Al组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现Al组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升;Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而Al组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型Al0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。 相似文献
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3C行业的不断发展,催生了对高密度、持久保存、快速擦写、鲁棒可靠性的非易失性存储器(如flash)的持续需求,促使我们在科研上不断地深入研究新材料、新工艺。在本文中,我们首次采用了区别于传统CMOS工艺的两步工艺方法来制作金属纳米晶非易失性存储器。这种方法,由于将金纳米晶的化学合成和后续组装分离开来,所以能够独立地调节纳米晶的尺寸和组装密度,而且可以很好地避免一直困扰的金属扩散问题。最终的形貌表征和电学测量结果,证实存在一个最优化的纳米晶密度--在这个最优化条件下,我们的存储器件,既有持久的保存时间,又有较大的存储窗口。而组装密度的可调,同时可以满足我们对于大的存储窗口/较长保存时间某一方面的偏好。这些实验结果,都很好地证明了我们两步工艺方法的可行性。 相似文献
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聚变堆主机关键系统的综合研究设施的磁体性能研究平台(Magnet Performance Research Platform,MPRP)是为先进超导磁体实验建立的大型实验平台,其历史数据在海量存储情况下存在检索速度慢的问题。因此,对系统检索速度进行研究并开发了MPRP数据归档系统(MPRP Data Archiving System,MPDAS)。MPDAS设计了EPICS(Experimental Physics and Industrial Control System)数据归档插件并采用MongoDB分片和副本集机制搭建高扩展性数据存储架构。为提高数据检索速度,MPDAS借鉴最近最少使用(Least Recently Used,LRU)、使用频率最低(Least Frequently Used,LFU)、先进先出(First In First Out,FIFO)三种传统缓存替换算法核心思想,基于牛顿冷却定律建立数据温度模型并提出一种综合访问时间、访问频率以及存储顺序的多维度特征数据划分算法。根据数据划分算法标识冷热历史数据实现数据分层存储。MPDAS在查询历史数据时优先访问Red... 相似文献
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针对中国石油兰州石化公司炼油厂5万m~3/h制氢装置开停工过程中废气排放量较大且排放时间较长的问题,采取了调整工艺操作步骤、优化开停工方案等措施。结果表明:在开工过程中,采取将先2.0 MPa氮气气密调整为先0.4 MPa氮气气密,利用火炬与燃料系统将置换废气排入60 m高空,在氢气质量调整阶段提前回收解吸气等操作,使装置开工时火炬排放时间缩短了6 h,火炬排放总量下降39 000 m~3,同时节约了20 000 m~3的氮气用量;在停工过程中,采取将造气和变压吸附系统调整为串联置换,切断装置进料前通过系统降压将氢气回收至1.3 MPa管网,调整解吸气火嘴切换降低解吸气排放量等操作,使装置停工时火炬排放时间缩短了6 h,火炬气排放总量下降30 000 m~3,同时节约了4 000 m~3的氮气用量。 相似文献
95.
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Si/SiGe/Si异质结构基础上,采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形,用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀,获得Si线阵列,最后通过湿氧、干氧氧化过程,成功实现了高质量Si/SiO2异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究,并讨论了硅线的热氧化性质。 相似文献
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