三面固定槽形板的应力遮挡效应

用电测法测量了三种股骨中段骨折内固定钢板（三面固定槽形板、梯形板、天津板）固定后对骨的应力遮挡效应。结果表明，三面固定槽形板的应力遮挡效应明显低于梯形板和天津板一类的矩形截面板。     

Hf掺杂锐钛矿TiO2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对Hf掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构进行了第一性原理研究。对通过对能带和电子态密度的分析,发现在Hf掺杂后,导带底和价带顶同时降低,但是由于价带顶下降的比导带底多,从而使得锐钛矿型TiO2的禁带宽度变窄。     

基于视觉系统模型的SAR图像压缩方法

提出一种基于视觉模型的合成孔径雷达(SAR)图像压缩方法,对SAR图像分解后不同频带的小波系数结合其能量分布和人眼对不同频率段的敏感度采用可变步长进行量化与压缩编码,应用嵌入式小波图像压缩算法,以峰值信噪比和均方误差等作为评价指标,对比进行了实验.结果表明,在保证压缩比不变的前提下,采用本算法获得的恢复图像的主观质量有所提高,较好地保留了图像的纹理细节,提高了图像的峰值信噪比.     

中波发射台低压供配电系统智能化改造设计

文章介绍了中波发射台低压供配电系统的智能化改造。利用原有供配电设备,增加相应设备,对中波台低压供配电系统实施改造,改造为智能化不间断供配电系统,将原有设备设计成手动应急供电。投入资金少,设计合理,不需要人员操作,智能化程度高,可实现不间断供电,特别适用于边远地区发射台站改造,能够大幅度降低停播率,并满足广电“零停播”要求,从而达到广电总局《广播电视安全播出管理规定》无线发射转播台实施细则的配置要求。     

济源钢厂2号高炉设计特点及实践

济源钢厂2号高炉设计采用了一系列的先进设备和技术,如串罐式无料钟炉顶、薄壁内衬、炭砖+陶瓷杯式炉底炉缸结构、软水密闭循环冷却系统、关键部位采用铜冷却壁、炉前除尘等。高炉投产运行5年来,炉况稳定顺行,各项指标均优于设计指标,平均利用系数在3.3t/(m~3·d)以上,达到同类型高炉的先进水平。同时炉底陶瓷垫保存较好,杯垫下一层碳砖中心温度控制在600℃以内;炉底、炉缸侵蚀小,高炉冷却系统稳定,设计合理,生产实践取得良好效果。     

富伦1号高炉工艺装备特点

富伦1号1350m^3高炉工程总图布置紧凑,场地面积利用率高。在设计中采用了许多先进实用的技术,如低高径比炉型、合理的炉衬、合理冷却结构和软水冷却;平坦化出铁场场面;PW型串罐无料钟炉顶设备;改进型顶燃式热风炉;干法布袋煤气处理;机械炉渣处理装置及底滤池过滤冲渣回水;实用的自动控制等。     

洪泽湖大堤历史文化价值与世界文化遗产申报

洪泽湖大堤古称高家堰(下称高堰)。北起淮阴区码头镇,南至盱眙县堆头高地,全长70.63km。它是一座“始建于东汉,发展于明清,完善于当代”的淮河下游防洪第一屏障,保护着准河下游20多万hm~2耕地、2000多万人民生命财产和10多座中小城市的防洪安全;随着南水北调东线方案的实施,洪泽湖水库及高堰古堤坝     

Structural and optical properties of polycrystalline CdS thin films deposited by electron beam evaporation

Highly crystalline and transparent cadmium sulphide(CdS) films were deposited on glass substrate by electron beam evaporation technique.The structural and optical properties of the films were investigated.The X-ray diffraction analysis revealed that the CdS films have a hexagonal structure and exhibit preferred orientation along the(002) plane.Meanwhile,the crystalline quality of samples increased first and then decreased as the substrate temperature improved,which is attributed to the variation in film thickness.UV-vis spectra of CdS films indicate that the absorption edge becomes steeper and the band gap present fluctuation changes in the range of 2.389-2.448 eV as the substrate temperature increased.The photoluminescence peak of the CdS films was found to be broadened seriously and there only emerges a red emission band at 1.60 eV.The above results were analyzed and discussed.     

利用多晶硅副产物制备氯化钡的研究

随着中国多晶硅产业的发展,多晶硅副产物的环境污染问题日益突出,将多晶硅副产物无害化和资源化迫在眉捷.研究了利用多晶硅副产物制备氯化钡的影响因素,得到优化工艺条件.实验结果表明:利用多晶硅副产物制备氯化钡是可行的;该方法有助于解决多晶硅副产物的环境污染问题,可大幅度降低多晶硅的生产成本,极大地提高企业的经济效益,对发展中国多晶硅和太阳能产业具有十分重要的意义.