低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器件的研究

设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13～42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.     

热锯机构计算机动画辅助设计

用ＡｕｔｏＣＡＤ的ＡＤＳ开发系统，在ＡｕｔｏＣＡＤ环境下实现热锯机构的动画辅助设计，该方法比类比法的精度高，能避免图解法和实验修正法带来的人为误差，不需要制作模型，特别适用于复杂的给定轨迹的机构设计。     

熊猫2118型彩电VD713击穿形成“三无”

用户提示:此机无图像、无伴音,经上门修理人员修理,说是电源部分损坏。修理当中损坏部分元件,最后放弃修理。检修:因该机被人修过,打开机壳检查,发现电源部分许多元件皆动过,其中电源开关管V704(2SD2334)、V702、V703(2SD965)皆被新换,测108V电源输出对地不短路。随即通电试机,只见保险F701处亮光一闪。关机检查,保险熔断,开关管V704集电极对地击穿、V703击穿。查其他相关元件无问题,换上损坏元件后,通电,电视机不起动,只得关机寻求电源不起振和开关管击穿的原因。     

皮革毛皮衣物护理与洗染探讨

对皮革毛皮衣物的护理与洗染方法以及注意事项进行了总结和分析，介绍了皮革毛皮制品经洗染后可能出现的常见风险，对如何延长皮革毛皮衣物的使用寿命提出了建议。     

AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

单片集成电吸收调制分布反馈激光器

提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20mA,工作电流为100mA时的出光功率为10mw,由吸收调制器(EAM)加-3V偏压时的消光比为12dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用...     

1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器

采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μmDFB激光器。激光器的典型阈值为12mA，单面斜率效率达0．157mW/mA，出光功率大于20mW。由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层，因此激光器的寄生电容可降至2.5pF,-3dB调制带宽可达9.1GHz。     

浅析石油企业劳动用人“双向选择”

试从经济、法律、实际运用三方面对石油企业劳动用人“双向选择”机制进行阐述，并提出将该机制引入劳动合同期内的劳动人事动态管理，以期建立公平竞争的内部劳动力人才市场。