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111.
我们对SiO2覆盖退火增强InGaAs/InGaAsP/InP激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究.相对于原始样品,退火时无SiO2覆盖的样品经800℃,30s快速退火后,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了7nm,退火时有SiO2覆盖的样品经过同样的快速退火后,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了56nm.即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的小.本文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性, 相似文献
112.
管道焊接对焊接工艺、焊接材料、焊接设备等在效率、质量、稳定性和可靠性方面都提出了高要求.采用管道自动焊工艺,窄坡口接头,Miller PipePro 450RFC焊接电源和CRC M300C焊接机头,Hobart金属粉芯焊丝Metalloy 80N1,以及Miller RMD打底技术打底,Pro Pulse技术填盖,充分发挥了金属粉芯焊丝自身的优势,在施工中达到了稳定,优质、高效的目标. 相似文献
113.
114.
近年来,跨临界CO_2循环制冷系统的研究发展非常迅速,已经成为国内外学者竞相研究的热点.综述了跨临界CO_2循环的国内外研究现状以及跨临界CO_2循环的商业应用研究和发展前景.经分析发现,跨临界CO_2循环系统的研究方向主要集中在提高循环性能、充注量对系统性能的影响和跨临界CO_2毛细管节流这三个方面.总结了跨临界CO_2循环应用于热泵热水器、汽车空调和超市冷冻冷藏领域的研究状况.总之,CO_2是一种非常具有发展潜力的制冷剂,在超临界CO_2制冷方面还需要进行更多的研究,逐步解决生产技术、运行效率、安全等方面的问题. 相似文献
115.
116.
采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的结果表明 :为提高 EML 的模式稳定性 ,必须减小调制器一端的反射率 ,同时增加DFB激光器的 κL.最终我们采用选择区域生长 (Selective Area Growth,SAG)的方法 ,制作了低光反馈出光面的单脊条形 EML,在 2 .5 Gb/ s的非归零 (NRZ)码调制下 ,经过 2 80 km的标准光纤传输后 ,没有发现色散代价 . 相似文献
117.
选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料 总被引:2,自引:1,他引:1
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) . 相似文献
118.
119.
120.