1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．     

STT与RMD根焊焊接技术

为更好的区分STT根焊与RMD根焊各自的优点及适用范围,从采用的设备、工作原理、参数调节方式、焊缝成型、质量和现场应用情况等方面对两种根焊方法进行了对比分析,可以看出STT与RMD的送丝机构不同,一个是开放式,一个是密封式,STT在厚壁材料上易出现冷溶缺陷,但能很好的控制薄壁材料的变形,因此,STT更适合于在固定地点、薄板和需控制焊接变形的结构上应用;RMD更适合于管道野外施工.     

基于二值异或群的多轨迹识别算法

针对二值异或群循环轨迹集没有有效的识别算法的问题,进行了高效快速的多轨迹识别算法方面的研究。首先建立了多轨迹识别问题的数学模型,定义了一类新的轨迹——二值异或群循环轨迹,然后针对这类轨迹提出了一种新的识别算法,将求解与基轨迹相异或的元素值的问题转化为求解轨迹特征位模式的问题,并在理论上证明了其正确性,通过这样的处理极大地提高了算法可操作性,最后将此算法应用于共享接入检测场景中并进行了验证。实验证明,此算法具有较高的准确度和误报容忍度,能较好地应用于网络监控和信息安全领域。     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)为40dB.     

A 1.55-μm laser array monolithically integrated with an MMI combiner

The monolithic integration of four 1.55-μm range InGaAsP/InP distributed feedback lasers with a 4×1 multimode-interference(MMI) optical combiner using the varied width ridge method is proposed and demonstrated. The average output power is 1.5 mW when the current of LD is 100 mA and the threshold current is 30-35 mA at 25℃.The lasing wavelength is 1.55-μm range and 40 dB sidemode suppression ratio is obtained.The four channels can operate separately or simultaneously.     

可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长

本文报道了采用选择区域生长（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ, ＳＡＧ）方法,在 ＳｉＯ２作掩膜的 ＩｎＰ衬底上选择生长出高质量的 ＩｎＧａＡｓＰ－ＭＱＷ,并成功地制作出波长调谐范围达 ６．５ ｎｍ的可调谐 ＤＢＲ激光器和性能可靠的电吸收调制ＤＦＢ激光器．ＳＡＧ成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成 （ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＦＢ Ｌａｓｅｒ, ＥＭＬ）．我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破． 采用 …     

面向MANET路由的多属性动态信任模型

综合移动自组织网络(MANET)路由节点的状态和行为因素,提出了一种基于多属性决策的MANET路由动态信任模型(MDF-Trust).该信任模型采用多属性决策理论量化路由节点的状态和行为等信任决策因素并对MANET路由节点的信任进行评价,通过引入推荐信任度和推荐节点搜索算法遏制恶意节点的欺骗行为.仿真实验结果表明,该信任模型能准确地反映MANET路由节点的信任变化,具有更好的动态响应能力,并且在存在欺骗节点的情况下有更高的分组投递数和更低的网络时延.     

基于Ⅱ类最优正规基的快速模乘算法及其实现

为提高椭圆曲线密码应用系统中有限域上乘法计算速度,在Ⅱ类最优正规基上,提出了一种改进的基域乘法实现算法,完成一次基域乘法,只需要进行2m+1次循环移位和1.5m次的向量XOR和m次向量AND运算.软件仿真和FPGA工程实践表明,使用本算法能够显著提高模乘算法的效率.     

高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器

采用三元InGaAs体材料为有源区，通过直接在InGaAs体材料中引入0．20％张应变来加强TM模的增益，研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中，只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下，获得了50nm宽的3dB光带宽和小于0．5dB的增益抖动；重要的是，半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1．1dB的偏振灵敏度。对于1．55gm波长的信号光，在200mA的偏置下，其偏振灵敏度小于1dB，同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益，3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器，可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率，可得到性能更佳的半导体光放大器。