半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成

报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

布尔电路上保护隐私集合并集运算的研究与实现

隐私保护技术是当前信息安全领域的研究热点。然而,现阶段集合并集运算中的隐私保护技术侧重理论研究,在实验模型的开发上较为欠缺。针对该问题,该文首先设计了保护隐私的集合合并运算电路、去重电路和混淆电路,并应用YAO氏通用混淆电路估值技术提出了一种布尔电路上保护隐私的集合并集协议。然后,该文使用模拟器视图仿真法证明了协议的安全性。最后,基于MightBeEvil中的YAO氏混淆电路估值框架,开发了该文理论方案对应的实验模型。实验结果表明,在安全计算稀疏集合的并集时,所提算法效率优于当前布尔电路上的其他算法。     

天然革与人工革鉴别方法研究

建立了感官检验结合理化检验（滴水测试法、燃烧测试法、氢氧化钠溶解测试法）的天然革和人工皮革材质鉴别方法。方法简单、便捷,能快速区分天然革和人工皮革材质。     

植-醛结合鞣法刚性模块耐老化性研究

将儿茶素与戊二醛形成的刚性模块、先植后醛鞣皮粉、先醛后植鞣皮粉分别进行紫外老化和热老化试验,再从颜色变化、水分含量、耐湿热稳定性、Td、单宁耐水洗耐汗渍能力等方面,分析三者的耐紫外老化和耐热老化的程度。结果表明:(1)3个试验组中,儿茶素与戊二醛形成的刚性模块,具有最强的耐紫外老化和耐热老化能力;(2)由于先植后醛的方法能够有利于该刚性模块的形成,因此,先植后醛的鞣法较先醛后植的鞣法有着更好的耐紫外老化和耐热老化能力,其中耐紫外老化能力相对耐热老化能力强     

采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 法在I nGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO₂薄膜,通过N₂气氛下快速热退火(RTA )方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子 阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条 件下,可以获得最大72.8nm的相对波长 蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长 蓝移量随温 度变化基本能控制在10nm以内。 通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量, 在选区制备出合适带隙波长材料的基 础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收 调制(EAM)分布反馈 激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为 20m A,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在＋6V反偏压下为9.5dB。     

解读运动服装常见质量问题

1.运动服装常见质量问题及危害 运动服装基本安全项目中最容易出现的不合格项目有3项,分别为摩擦色牢度、耐汗色牢度、pH值.其他常见的不合格项目为水洗尺寸变化率、耐光色牢度. 摩擦色牢度、耐汗色牢度、pH值是GB 18401《国家纺织产品基本安全技术规范》中为保证纺织产品对人体健康无害而提出的最基本的要求的部分项目,这三个项目如果不合格,会直接影响人体的健康.如果摩擦色牢度、耐汗色牢度不合格,服装在穿着过程中染料会很容易从织物转移到人体皮肤上面,染料中可能含有各类化学试剂或重金属,这些物质可能会对人体皮肤造成危害;而pH值超标的服装,刺激性大,容易引起皮炎、皮肤瘙痒等症状.     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

嫌疑7812没错,揪出“同案犯” TDA3653免遭“杀身之祸”

福日F91PP机芯(HFC—2175、2075、1975、1775和2176型)彩电,屡烧场输出块IC601(TDA3653)已成“通病”。下面通过几个维修实例,查出引起TDA3653损坏的根源。     

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化

利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)