首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   128篇
  免费   5篇
  国内免费   70篇
电工技术   5篇
综合类   10篇
化学工业   5篇
金属工艺   8篇
机械仪表   9篇
建筑科学   6篇
能源动力   2篇
轻工业   47篇
石油天然气   2篇
无线电   92篇
一般工业技术   7篇
自动化技术   10篇
  2024年   1篇
  2023年   3篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   5篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   4篇
  2015年   6篇
  2014年   20篇
  2013年   11篇
  2012年   12篇
  2011年   5篇
  2010年   14篇
  2009年   10篇
  2008年   6篇
  2007年   8篇
  2006年   3篇
  2005年   16篇
  2004年   13篇
  2003年   8篇
  2002年   4篇
  2001年   14篇
  2000年   15篇
  1999年   10篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1993年   1篇
  1991年   2篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有203条查询结果,搜索用时 62 毫秒
41.
报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显示出了良好的静态和高频特性:阈值电流典型值为15mA,最小值为8mA;100mA激光器偏置电流下,输出功率大于10mW;对消光比、电学回波损耗和调制带宽进行了测试,3dB带宽的测量值超过10GHz.  相似文献   
42.
制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.  相似文献   
43.
用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.  相似文献   
44.
设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13~42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.  相似文献   
45.
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的  相似文献   
46.
研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520~1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525~1565nm)和L带(1570~1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70~90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景.  相似文献   
47.
采用了一种基于取样光栅原理制作多通道增益-折射率耦合型光栅的方法,成功制作了8波长分布反馈(DFB)激光器阵列,阵列中各激光器的阈值电流为30~40 mA,注入电流为100 mA时的平均输出光功率为10mW,阵列器件实现了波长的可选择性激射,相邻激光器间的频率间距为200 GHz,验证了用取样光栅方法制作DFB激光器阵列的可行性。  相似文献   
48.
报导了LCY-1517、LCE-1517子午线轻卡轮胎一、二段成型机组和XLG-1100×2400鼓式硫化机的成功开发,介绍了技术参数和较好地解决了一些工艺难题,经两个橡胶企业使用,反映良好,达到了预期目的.  相似文献   
49.
对GB18401-20038YL定的纺织产品基本安全项目的影响因素进行了分析,对常用的控制与改进方法进行了总结,指出了基本安全项目除可分解芳香胺染料外都可以采用不同的途径进行改进;同时讨论了纺织产品基本安全项目的检测结果可能出现的问题,并针对基本安全项目的检测结果容易改进以及存在时效性的特点提出了建议。  相似文献   
50.
介绍了印染中的剥色技术,讨论了剥色技术在纤维定性定量中的选择和应用,重点对几种特殊情况剥色方法的选择进行了分析。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号