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51.
A 100-μm-long electroabsorption modulator monolithically integrated with passive waveguides at the input and output ports is fabricated through ion implantation induced quantum well intermixing, using only a twostep low-pressure metal-organic vapor phase epitaxial process. An InGaAsP/InGaAsP intra-step quantum well is introduced to the active region to improve the modulation properties. In the experiment high modulation speed and high extinction ratio are obtained simultaneously, the electrical-to-optical frequency response (E/O response) without any load termination reaches to 22 GHz, and extinction ration is as high as 16 dB. 相似文献
52.
在定量分析前,涂层织物必须进行涂层剥离.以常用的聚丙烯酸酯(PA)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)涂层织物为研究对象,选择5种溶剂作为涂层剥离剂,在不同条件下进行剥离试验,找出了对不同涂层都具有剥离效果的3种涂层剥离剂,其中四氢呋喃效果最好,常温下5 min即可将涂层完全剥离.同时,分析了15种可能受溶剂损伤的纤维,并对其中的11种找出了剥离方法. 相似文献
53.
54.
介绍了焊接X80钢管道所需要的焊接材料和焊接设备的特点,以及与目前管道焊接常用的其他焊接方法的对比,推出了一套全新的工艺组合为:中频感应加热器预热,金属粉芯焊丝MT80N1 RMD打底,自保护药芯焊丝Fabshield X80填盖.这套工艺组合,焊工培训所需的时间少,降低了焊工的操纵技能要求,焊缝的拍片合格率很高,焊接效率较以往有较大提高.工程成本也大大降低. 相似文献
55.
56.
57.
58.
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78% )及EML器件的外量子效率(从0 0 3mW /mA提高到0 15mW /mA) . 相似文献
59.
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA). 相似文献
60.
本文提出了采用一种电调谐对射频信号直接进行处理,它是一种连续可调的窄带滤波,经过后一级的宽带放大,再采用高性能A/D器件完成模数转换的射频数字化实现方法。该方法实现简单,测试后性能达到了基本的要求,应用于短波软件无线电接收机可大大简化其结构、提高其性能。 相似文献