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随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yjeld),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。 相似文献
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大牛地气田为低渗-致密气田,因存在启动压力梯度等因素,修正等时试井曲线按常规方法处理出现异常,无法准确获取气井的产能方程.采用LIT法和异常曲线校正法对气田异常试井资料进行了重新处理,最终获得气井产能方程,为同类气藏产能试井可能出现的异常资料处理解释探索了新的途径. 相似文献
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2006年3月2日,夹江水工机械厂自行设计制造的三峡工程右岸进水口坝顶4500kNⅡ型双向门机在三峡工地顺利通过负载试验。三峡三期工程共有6台门机,其中右岸进水口有2台4500kN双向坝顶门机,单台重量在700t以上.高度约39m,可提升载荷高度达130m。是三峡工程右岸电站重要的起重设备,能否顺利通过试验并投入使用将直接影响到三峡工程的右岸大坝能否在5月底全面挡水。 相似文献
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速度成为衡量许多事情的尺度,“快的会把慢的吞食掉”这一经常被人引用的口号现在已经演进为全球竞争环境下的格言,而现代化的软件和IT通讯使得这一点成为可能。 相似文献
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薄膜的截面TEM样品制备 总被引:1,自引:0,他引:1
薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。 相似文献