绿色设计在室内装修中的应用研究

首先介绍了室内"绿色设计"的内容及原则,然后重点从空间环境的绿色设计、审美情趣上的绿色设计、绿色环保技术、绿色施工等方面进行了探讨,最后,阐述了绿色设计在室内装修设计中的运用,以供广大设计者参考。     

A_3钢在三元复合驱体系中的腐蚀行为研究

通过５０℃静态挂片、动态滚轮实验,对Ａ３钢在用模拟油田污水配制的含部分水解聚丙烯酰胺（ＨＰＡＭ）、石油磺酸钠（ＲＳ）和ＮａＯＨ的单组分,二元复合组分和三元复合组分中的腐蚀行为,进行了研究和比较,发现ＨＰＡＭ、ＲＳ、ＮａＯＨ在此特定体系中对Ａ３钢有缓蚀作用。通过极化曲线法,对部分水解聚丙烯酰胺和表面活性剂的腐蚀机理,作了初步探讨,结果表明ＲＳ及ＨＰＡＭ在模拟油田污水中,对Ａ３钢的缓蚀是通过抑制其阴极过程而达到的。     

在HNO_3/HF混合液中反应副产物对腐蚀特性的影响

在多晶硅制绒中,通过调整HNO_3、HF和水或醋酸的比例可以很好地控制制绒的过程并得到理想的绒面。但是在腐蚀过程中随着HNO_3、HF和硅的消耗会产生大量的副产品(如H_2SiF_6,HNO_2、N_2O_3等),该文通过在反应腐蚀液中预溶解一些硅的方法研究了反应副产品对制绒特性的影响。发现随着预溶硅的增加,在富HNO_3溶液中反应速度出现了先上升后下降的趋势,而在富HF的溶液中反应速度出现了线性下降。最后,针对反应副产物亚硝酸对制绒特性的影响进行了分析。     

电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究

将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响.实验结果表明,可在多晶硅上获得平均孔径为5 ～ 20μm、深为1～ 3μm的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3％,较处理之前降低了60％.     

HPAM对A3钢在油田污水中腐蚀的保护作用

采用交流阻抗技术、动电位扫描技术、氧含量测量法、粘度测量法和静态挂片失重法等实验方法,探讨了部分水解聚丙烯酰胺对A3钢在油田污水中腐蚀的保护作用。试验结果表明,HPAM能在A3钢的表面上形成吸附膜;HPAM的加入抑制了A3钢在油田污水中电化学腐蚀的阴极过程。     

影响HPAM对A3钢缓蚀能力的因素

采用动、静态挂片失重法及pH、氧含量和粘度测量等多种试验方法,分别研究了部分水解聚丙烯酰胺（HPAM）的浓度、溶液的温度、HPAM的分子量及溶液的矿化度等因素改变时,HPAM对A3钢在水中缓蚀能力大小的变化。结果表明,随着HPAM浓度增加,其对A3的缓蚀率随浓度增加而迅速增加;当HPAM浓度达到一定范围后,其对A3钢的缓蚀率随浓度增加变化不大;随着温度的升高,HPAM对A3钢的缓蚀率下降;随HPAM分子量的减少,HPAM对A3钢在模拟水中的缓蚀作用增强。溶液中阴离子相同的情况下,HPAM在含Ca^ 溶液中的缓蚀作用大于含Na^＋的溶液。     

薯类作物中铁含量的测定

介绍了薯类作物中铁离子含量的测定方法。文中用干灰化法处理样品,把样品置于530℃马福炉中灰化,使铁游离出来,再用盐酸羟胺将其还原成Fe2+,用邻二氮菲分光光度法在510 nm波长处测定橙红色络和物Fe(Phen)32+的吸光度,由标准曲线及样品的吸光度可查得样品溶液的铁含量。经过测定和计算,薯类作物中铁含量大小顺序为马铃薯、芋头、魔芋、菱角、荸荠、山药、红薯。     

声学多普勒流速剖面仪比测试验分析

对引进的声学多普勒流速剖面仪(ADCP)和转子式流速仪在小浪底、花园口和夹河滩3个水文站的比测试验表明:含沙量较低、流量为1 000 m3/s以下时采用ADCP测流,精度满足水文测验规范要求.     

Helium Plasma Damage of Low-k Carbon Doped Silica Film: the Effect of Si Dangling Bonds on the Dielectric Constant

The low-k carbon doped silica film has been modified by radio frequency helium plasma at 5 Pa pressure and 80 W power with subsequent XPS, FTIR and optical emission spec- troscopy analysis. XPS data indicate that helium ions have broken Si-C bonds, leading to Si-C scission with C（1s） lost seriously. The Si（2p）, O（ls）, peak obviously shifted to higher binding en- ergies, indicating an increasingly oxidized Si（2p）. FTIR data also show that the silanol formation increased with longer exposure time up to a week. Contrarily, the CHa stretch, Si-C stretching bond and the ratio of the Si-O-Si cage and Si-O-Si network peak sharply decreased upon exposure to helium plasma. The OES result indicates that monovalent helium ions in plasma play a key role in damaging carbon doped silica film. So it can be concluded that the monovalent helium ions besides VUV photons can break the weak Si-C bonds to create Si dangling bonds and free methyl radicals, and the latter easily reacts with O_2 from the atmosphere to generate CO_2 and H_2O. The bonds change is due to the Si dangling bonds combining with H_2O, thereby, increasing the dielectric constant k value.