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71.
采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。  相似文献   
72.
油田地热资源开发利用技术探讨   总被引:2,自引:0,他引:2  
油气沉积盆地拥有丰富的地热资源,在能源供需紧张、大力发展新能源的背景下,油田地热资源开发日益受到重视。在对油田地热资源分析的基础上,讨论了油气与地热联产的几种可能模式;结合现有的中低温发电技术,分析了利用油田中低温地热资源发电的可行性;最后,针对地压型地热资源的特点,对地压型地热水驱提高稠油油藏采收率进行了探讨。研究认为,利用油气田现有的基础设施、生产技术、开发经验和储层数据,通过油气生产与地热开采的"双赢"合作,可实现油气田的可持续发展和新能源的高效利用。  相似文献   
73.
张军丽  李荣强 《广东化工》2010,37(7):162-163
总结课程教学过程中的体会,结合专业基础课环境化学的特点,从精简和更新教学内容、采用创新性互动式教学方法、多媒体教学等教学手段,强化课堂教学,加强实验教学质量,使化学实验教学由验证性转变为创新性等几方面提出了些尝试和探索,引导学生在实践中学以致用,培养和发展学生综合素质,以提高教学质量和学生学习该课程的兴趣。  相似文献   
74.
历经了三个10年的不断探索和实践,如今深圳物业管理已初具规模.据统计,截至2010年底,深圳全市纳入统计的物业服务企业共计1526家,其中,一级资质企业90家;从业人员20多万人.物业管理已覆盖了从住宅物业到办公楼、工业厂房、学校、医院等多种物业类型,实施专业物业管理的物业总建筑面积达到3.46亿平方米.物业管理与人民群众的日常生产生活紧密相关,已成为一个关乎民生和、关乎社会和谐稳定、关乎城市经济可持续发展的重要行业.  相似文献   
75.
气浮含油污水处理工艺影响因素研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
结合实现气浮分离的三个必要条件,并通过对大量气浮实验进行研究,根据有关实验结果,对气浮处理含油污水的影响因素进行分析。指出气浮工艺操作参数的适用范围,为具体应用实验研究提供参考。  相似文献   
76.
社会的快速发展不断提升着人们的审美要求,并使人们对自然生态环境的认识更为理性,因此对于现代园林景观设计的要求也不再停留于满足其经济性、实用性的阶段,而是追求集经济、实用、美观和生态可持续发展于一体的综合型景观设计。在新的时代背景下,景观设计的目标越发突出“以人为本”的生态景观建设,现代景观设计与生态环境紧密相连,辩证统一。因此,现代景观设计的研究和实践是要更好的把健康、正确的景观设计理念和方法发扬下去,并为社会创造更多的经济效益,同时也是人类回归与自然和谐相处的必然趋势。  相似文献   
77.
铝合金硬质阳极氧化技术的现代进展   总被引:7,自引:1,他引:6  
刘爱民  李荣强 《材料保护》1997,30(11):12-15
系统地评述了铝合金硬质阳极氧化技术的现代进展。特别介绍了自80年代以来发明的几项最新技术:铝合金硬质阳极氧化复合固体润滑技术,协合含氟聚合物涂层技术和微弧氧化陶瓷涂层技术。  相似文献   
78.
李荣强  石建刚  何开全 《微电子学》2004,34(6):689-693,697
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压士5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差士8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μm BiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。  相似文献   
79.
高性能模拟集成电路工艺技术   总被引:4,自引:2,他引:2  
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研完与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。  相似文献   
80.
介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术。主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对BiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出了器件仿真数据和实验结果;最后,对辐照试验进行了分析。采用该加固工艺研制的16位D/A转换器实现了转换速率大于30 MSPS,建立时间小于50 ns,线性误差和微分误差均小于±8 LSB等性能指标;其抗中子辐射水平为5×1013n/cm2,抗γ总剂量辐射水平达5.0×103Gy(Si)。  相似文献   
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