光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g-r（产生-复合）噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律．通过测量前级噪声和后级噪声，发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管．基于载流子数涨落机制，建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型．实验结果和本文模型符合良好．     

深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电，以及电迁移等失效机理，已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中，热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研完，提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。     

散粒噪声时间序列测试方案研究

散粒噪声携带纳米结构与器件载流子输运丰富的信息,为了提取这些信息,需要完整地测量散粒噪声时间序列.文中从全计数统计(FCS)学对噪声信号分析需求出发,通过分析散粒噪声特点和影响因素,提出了一种实现纳米结构与器件散粒噪声时间序列的测试方案,并论证了方案实现的方法.     

DC／DC转换器辐射加固电路设计方法研究

本文阐述了电路辐射加固设计的基本原理,分析了光耦隔离反馈方式DC／DC转换器的电离辐射效应,研究了光耦反馈辐射加固电路在抗辐射方面的优点。研究表明：通过合理设置参数,该反馈方式可以有效的避免在辐射环境下光耦的CTR和PWM的基准电压退化对DC／DC转换器输出电压造成的影响。同时仿真分析显示,当累积剂量低于150Krad（Si）时,这种反馈方式较电磁反馈具有更好的抗辐射性能。本文的研究结果可为工程人员设计抗辐射DC／DC转换器提供理论依据。     

散粒噪声用于纳米电子器件与结构的量子效应表征

论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类。将散粒噪声的这些规律应用于纳米电子器件和结构,可表征不同器件与结构中的量子效应。利用散粒噪声已经成功检测到无序导线中的开放通道与量子点混沌腔中的波动性,测量出超导体与分数量子霍尔效应中的准粒子电荷。将散粒噪声用于检测纠缠态对量子计算具有重要的意义,自旋相干输运的检测是自旋电子学的重要研究课题。     

热喷涂技术及其在天然气管道中的应用

结合热喷涂技术的工艺方法、涂层材料技术和发展现状,介绍了其在天然气管道中的应用,讨论了面临的问题并提出了相应对策.     

RTM用含硅芳炔树脂的流变特性与固化反应动力学

含硅芳炔树脂(PSA-R)具有优异的耐高温、优良的介电性能、高温力学性能,以及优异的工艺性能,适用于RTM成型工艺,广泛应用于航空航天、电子信息领域.本文采用动态差示扫描量热法(DSC)研究了含硅芳炔树脂的固化反应,试验表明含硅芳炔树脂的固化动力学符合n-级固化反应模型,固化反应级数约为2级,反应活化能为110kJ·mol~-1.用平板流变仪研究了PSA-R树脂的动态粘度及等温粘度变化,研究了凝胶时间与温度的关系,建立了凝胶模型,根据双Arrhenius方程,建立了含硅芳炔树脂的粘度模型,该模型预测粘度与实验结果相吻合.     

静电放电小空间测试装置性能分析与验证实验

为了满足核辐射条件下静电放电（ESD）瞬态脉冲场小空间测试的需要,基于有源电光调制法研制了一种经济实用的传感器,并利用该传感器搭建了光纤传输式瞬态电场测试装置。在介绍传感器设计与研制过程的基础上,对测试装置的电性能进行了实验研究。通过频域信号注入实验、方波脉冲注入实验及方波脉冲辐照实验,对测试装置的响应时间以及线性度等指标进行了性能分析;通过ESD脉冲辐照实验,对测试装置性能进行了综合验证。实验结果表明,该测试装置的响应时间〈1ns,可用于ns级辐射场测试;其线性度良好,通过调整天线负载电容的取值可以调节测试灵敏度。该测试装置可用于静电放电辐射场的时域测试,能够在小空间测试静电放电瞬态脉冲场。     

某气田水平井产气剖面测井技术应用

产气剖面找水测井作为一种动态监测手段,为气田动态分析和开収调整可提供第一手的资料,通过应用各种动态监测资料,动静结合,系统分析,能为气藏精细管理、开収提供更坚实的技术支持。某气田技术分析,通过对仪器输送方式选取、测井仪器与工艺优选及测井资料解释方法入手,针对性的提出解决某气田水平井产气剖面测井的技术思路。通过对某气田水平井产出剖面测试的现场试验和测井资料解释,表明了测试工艺的可行性和测井资料解释的可靠性,可为某气田水平井产出监测提供更多依据与借鉴。