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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
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砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。 相似文献
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<正> 随着生活水平的提高,大家都喜欢把自己的房子收拾的漂亮一些,不过装修这种工作说起来简单,操作起来却不胜其烦,搞不好的话,冤枉钱不少花,而且到头来还有可能惹一肚子气生。但是有一个朋友可以帮到我们!这就是PDA。下边就以 PocketPC 机型为例,介绍如何使用 PDA 来帮助我们更轻松地完成装修工作。 相似文献
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杨开国 《制冷空调与电力机械》2003,24(3):64-67
分析了CFH-Ⅱ型翻车机传动齿轮轴承座的座脚螺栓组联接失效(松动)的原因,得出控制和保证合适的螺栓组联接预紧力是防止螺栓联接失效(松动)的关键;依据现场条件,对座脚螺栓进行了设计改进;提出了一种适合现场使用的螺栓预热伸长的装配方法,经实践验证此法是简单可靠的装配方法。 相似文献
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49.
利用流体法研究了对45钢铁素体及奥氏体作氮碳共渗处理的工艺;为便于比较,同时对45钢进行了淬火+低温回火处理。通过金相观察,显微硬度和X射线衍射分析,测定了两种氮碳共渗系数及耐磨性能,并使用轮廓仪测定了试样表面的粗糙度。结果表明,奥氏体氮碳共渗后试样表面的化合物层由两层组成,表层为Fe3N次表层为富含氮、碳的马氏体及奥氏全;而经铁素体氮碳共渗处理的试样,其表面的化合物层只有一层(由Fe3N及少量的 相似文献
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