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采用XRD、X射线荧光光谱、N2吸附-脱附和SEM等手段分析了REUSY、Hβ和ZRP-1分子筛的物理化学性质,考察了REUSY、REUSY+Hβ和REUSY+ZRP-1分子筛催化剂对原料油的催化裂化性能和产物碳四烯烃选择性的影响。结果表明:高稀土含量的REUSY分子筛具有较强的重油裂化能力和较高的汽油选择性,但是碳四烯烃选择性较低;Hβ分子筛对产物的碳四烯烃选择性优于REUSY和ZRP-1分子筛。在此基础上,提出采用催化材料目标导向技术开发选择性增产碳四烯烃催化剂的方案。 相似文献
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自动气象站故障应急措施及异常数据分析处理 总被引:1,自引:0,他引:1
本文结合新的考核办法对自动气象站故障的应急措施及长Z文件中异常数据进行分析与处理。帮助业务人员面对突发故障时采取有效应急措施,沉着冷静处理,以确保各类数据文件的完整性、准确性、时效性。 相似文献
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本文主要在分析客户服务现状分析及存在问题基础上,探讨了国网信息系统客户服务模式转变探究的对策方法,经过实践检验,管理创新能够在客户服务中心服务模式的转变成功体现,希望对于今后的信息系统客户服务模式发展具有一定帮助。 相似文献
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在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。 相似文献
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随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。 相似文献
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目前,我国电网企业对于识别停电投诉风险,开展用户停电敏感程度分析的研究工作还处在起步阶段.为了有效地分析停电用户的敏感程度,提出了一种基于改进随机森林算法的停电敏感用户分类算法.首先,对原始数据进行清洗、特征选择等预处理;接着,采用SMOTE算法增加少数敏感用户样本数据量,解决数据分布不均匀问题;然后,以Fisher比作为特征的重要性度量,按比例随机采样选取具有代表性的特征构成子特征空间;最后,利用随机森林算法识别停电敏感用户.通过在真实停电数据上的实验,验证了提出的方法不仅具有较好的准确性和时间性能,而且可以有效处理高维、冗余特征的数据. 相似文献
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针对电力系统故障信号中暂态分量的精细化实时分析需求,提出一种不同于Mallat算法频域分段方式的时频关联分析算法。这一算法可以实时运行,既对频带进行了精细化的、可灵活设置的、有重点的划分,又实现了全频带的高时域分辨率,同时保持了输出数据的时频关联特性。基于现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)设计了一个实现这一算法的范例模块,基于MATLAB建立了一个简化的分布式参数电网模型。在这一模型上以生成500 kHz的故障信号采样值序列作为输入范例模块的数据流,对范例模块进行仿真,初步验证了该算法的性能、实用性。就该算法在继电保护算法设计中的应用策略提出了建议,对该算法涉及的其他后续工作进行了展望。 相似文献
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