选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

某气井超级13Cr完井管柱腐蚀及开裂原因分析

为了探究某气井超级13Cr完井管柱腐蚀及开裂的原因,通过腐蚀检测、裂纹分析等方法,对完井管柱腐蚀及裂纹问题进行了研究。研究结果表明,油管台肩面的局部腐蚀随着井深增加呈先增大后减小趋势,油管公扣与接箍连接处在拉应力下产生缝隙,流体在缝隙处滞留,发生缝隙腐蚀,井中部处于缝隙腐蚀的敏感区,腐蚀较严重。随井深增加,泥浆附着严重,阻挡了凝析水在内壁的附着,减缓了点蚀的发生,因此油管内壁点蚀深度随井深增加呈减小趋势,油管外壁点蚀无明显规律;超级13Cr材质和完井液的不匹配使油管在拉应力作用下发生应力腐蚀开裂,裂纹起源于外壁,呈树枝状、穿晶。     

尿素扩孔剂对拟薄水铝石性能的影响

以铝酸钠和硫酸铝为原料,尿素为扩孔剂制备了拟薄水铝石,采用X射线衍射仪、N_2吸附-脱附仪、吡啶吸附红外光谱仪、扫描电子显微镜等仪器对制得的拟薄水铝石样品进行了表征,并考察了尿素添加量对拟薄水铝石孔道结构及性质的影响。结果表明:随着尿素加入量的增加,拟薄水铝石比表面积、孔容和孔径呈现先升高后降低的趋势。当尿素加入的质量分数为5%时,可制得孔径呈双峰分布,比表面积为467.3 m~2/g,孔容为1.03 cm~3/g,平均孔径为8.81 nm,弱酸量较高的蠕虫状拟薄水铝石材料。     

CATV系统的规范化设计

ＣＡＴＶ系统的规范化设计·系统设计·兰州８９７２０部队熊智华近年来，有线电视系统如雨后春笋，在我国迅速普及，且复杂程度愈来愈高，既有卫星电视节目，又有自办节目，还正在进行大范围的联网。这样，确保有线电视系统工程的质量就显得尤为重要，从而，对从事有线电...     

采用现场可编程逻辑门阵列（FPGA）技术的设计方法

文章简述了现场可编程逻辑门阵列技术的基本概念及基本原理，介绍了采用ＦＰＧＡ器件的设计方法及笔者在应用ＦＰＧＡ技术中所获得的经验与体会。     

信号平面变换中伪特征曲线的产生原理及解决途径

文中就平面变换技术多义性的原理进行了分析，论证了何种情况下会产生伪特征曲线。提出了识别伪特征曲线的方法和分选伪特征曲线的方案，多义性的分析使平面变换技术更完善和使用。     

群论在网络理论中的应用研究

本用群论研究了双口网络集合，双口理想换器与器件的集合，２ｎ端口理想变换器和器件的集合。     

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。